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商品一覧

カテゴリー: FET

41件~70件(全70件)
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STP6NK90Z ST Micro
MOSFET STP6NK90Z
■仕様 パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:900V Id :5.8A Rds On:2 Ohms Vgs:-30V,+...
【数量1個〜】単価 ¥495
STU3N62K3 ST Micro
MOSFET STU3N62K3
■仕様 パッケージ:TO-251-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:620V Id:2.7 A Rds On:2.5 Ohms V...
【数量1個〜】単価 ¥189
STP13NK60Z ST Micro
MOSFET STP13NK60Z
■仕様 パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:600V Id:13A Rds On:550 mOhms Vg...
【数量1個〜】単価 ¥368
STP30NF10 ST Micro
MOSFET STP30NF10
■仕様 パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:100V Id:35A Rds On:38 mOhms Vgs...
【数量1個〜】単価 ¥189
STF7N60M2 ST Micro
MOSFET STF7N60M2
■仕様 パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1 Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:600V Id - 連続ドレイン...
【数量1個〜】単価 ¥263
STP20NF20 ST Micro
MOSFET STP20NF20
■仕様 パッケージ:TO-220-3 パッケージ/ケース:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電...
【数量1個〜】単価 ¥315
IRL3713PBF International Rectifier
MOSFET 30V 200A IRL3713PBF
・N-ch ・電流Id(Max):260A ・ドレインソース電圧Vds:30V ・オン抵抗:0.003Ω ・Rds(on)テスト電圧Vgs:10V ・パルス電流Idm:1040A ・パッケージ...
【数量1個〜】単価 ¥473
【数量100個〜】単価 ¥426
ON Semiconductor / Fairchild
N-CH MOSFET FDS8449
極性:N-channel VDSS:40V 電流ID:7.6A PD:2.5W パッケージ:SOIC-8
【数量1個〜】単価 ¥116
【数量100個〜】単価 ¥104
SCH2080KE ROHM (ローム)
N-channel SiC MOSFET SCH2080KE
【ダイオードあり版】 SiC(シリコンカーバイド)によるプレーナタイプMOSFETです。 高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングで、機器の小型・省エネ化に貢献します。 【特性】 VDS [...
【数量1個〜】単価 ¥7797
2SK4019(Q) 東芝(TOSHIBA)
シリコンN-チャネルMOSFET 2SK4019(Q)
○4V駆動 ○オン抵抗RDS(ON)=0.17Ω(標準) ○順方向伝達アドミタンス:|Yfs|=4.5S(標準) ○漏れ電流:IDSS=100μA(最大)(VDS=100V) 【絶対最大定格...
【数量1個〜】単価 ¥105
IRFP4321PbF International Rectifier
パワーMOSFET IRFP4321PbF
●極性:N-ch ●ドレイン電流ID:78A ●許容損失PD:310W ●ドレイン・ソース間電圧VDSS:150V ●ドレイン・ソース間オン抵抗 (typ)RDS(ON):12mΩ ●パッケージ...
【数量1個〜】単価 ¥168
【数量100個〜】単価 ¥152
TK8A25DA 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 150V<VDSS≤250V) TK8A25DA
【2SK2381,2SK2417の代替品】 【絶対最大定格】 ドレイン電流ID:7.5A 許容損失PD:30W ドレイン・ソース間電圧VDSS:250V 【電気的特性】 入力容...
【数量1個〜】単価 ¥116
【数量100個〜】単価 ¥104
TK20A25D 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 150V<VDSS≤250V) TK20A25D
【2SK2382の後継品】 極性:N-ch 【絶対最大定格】 ドレイン電流ID:20A 許容損失PD:45W ドレイン・ソース間電圧VDSS:250V 【電気的特性】 入力容量 ...
【数量1個〜】単価 ¥231
【数量100個〜】単価 ¥208
TK30A06N1 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V<VDSS≤60V) TK30A06N1
【2SK2312の代替品】 ドレイン電流ID:43A 許容損失PD:25W ドレイン・ソース間電圧VDSS:60V ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:16nC ドレイン・ソース間オン抵抗 (...
【数量1個〜】単価 ¥105
【数量100個〜】単価 ¥95
TK22A10N1 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V) TK22A10N1
ドレイン電流ID:52A 許容損失PD:30W ドレイン・ソース間電圧VDSS:100V 入力容量 (Typ.)Ciss:1800pF ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:28nC ドレイン・ソー...
【数量1個〜】単価 ¥126
【数量100個〜】単価 ¥114
東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 250V<VDSS≤500V) TK12A50D
【2SK2842の代替品】 【絶対最大定格】 ドレイン電流ID:12A 許容損失PD:45W ドレイン・ソース間電圧VDSS:500V 【電気的特性】 入力容量 (Typ.)Ciss:13...
【数量1個〜】単価 ¥231
【数量100個〜】単価 ¥208
TK7A45DA 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 250V<VDSS≤500V) TK7A45DA
○ドレイン電流ID:6.5A ○許容損失PD:35W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:450V ○入力容量 (Typ.)Ciss:540pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:11nC ○ド...
【数量1個〜】単価 ¥111
【数量100個〜】単価 ¥100
TK8A60DA(Q) 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) TK8A60DA(Q)
極性:Nch ドレイン-ソース間電圧VDSS:600V ドレイン電流ID:7.5A 許容損失PD:45W ゲート入力電荷量Qg(nC)(typ.):20 ドレイン-ソース間オン...
【数量1個〜】単価 ¥168
【数量100個〜】単価 ¥152
東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) TK6A60D
2SK2545の代替品 極性:Nch ドレイン-ソース間電圧VDSS:600V ドレイン電流ID:6A 許容損失PD:40W ゲート入力電荷量Qg(nC)(typ.):16 ド...
【数量1個〜】単価 ¥142
【数量100個〜】単価 ¥129
TK4A60DA 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) TK4A60DA
2SK2750の代替品 極性:Nch ドレイン-ソース間電圧VDSS:600V ドレイン電流ID:3.5A 許容損失PD:35W ゲート入力電荷量Qg(nC)(typ.):1...
【数量1個〜】単価 ¥153
【数量100個〜】単価 ¥138
TK5A50D 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) TK5A50D
○ドレイン電流ID:5A ○許容損失PD:35W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:500V ○入力容量 (Typ.)Ciss:490pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:11nC ○ドレイ...
【数量1個〜】単価 ¥105
【数量100個〜】単価 ¥95
TK12J60U 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) TK12J60U
○ドレイン電流ID:12A ○許容損失PD:144W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:600V ○入力容量 (Typ.)Ciss:720pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:14nC ○ド...
【数量1個〜】単価 ¥233
【数量100個〜】単価 ¥208
TK3A60DA 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) TK3A60DA
○ドレイン電流ID:2.5A ○許容損失PD:30W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:600V ○入力容量 (Typ.)Ciss:380pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:9nC ○ドレ...
【数量1個〜】単価 ¥74
【数量100個〜】単価 ¥67
2SK3564 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 700V<VDSS) 2SK3564
【2SK2700の代替品】 【絶対最大定格】 ドレイン電流ID:3A 許容損失PD:40W ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V 【電気的特性】 入力容量 (Typ.)Ciss:7...
【数量1個〜】単価 ¥137
【数量100個〜】単価 ¥123
2SK3566 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 700V<VDSS) 2SK3566
【絶対最大定格】 ドレイン電流ID:2.5A 許容損失PD:40W ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V 【電気的特性】 入力容量 (Typ.)Ciss:470pF ゲート入力電荷 (...
【数量1個〜】単価 ¥111

欠品中
TK13A25D 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET(N-ch 150V<VDSS≤250V) TK13A25D
○ドレイン電流ID:13A ○許容損失PD:35W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:250V ○入力容量 (Typ.)Ciss:1100pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:25nC ○ド...
【数量1個〜】単価 ¥147
【数量100個〜】単価 ¥133
TK8A50D 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET(N-ch 250V<VDSS≤500V) TK8A50D
【絶対最大定格】 ドレイン電流ID:8A 許容損失PD:40W ドレイン・ソース間電圧VDSS:500V 【電気的特性】 入力容量(Typ.)Ciss:800pF ゲート入力電荷(Typ....
【数量1個〜】単価 ¥137
【数量100個〜】単価 ¥123
2SK3700 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET(N-ch 700V<VDSS) 2SK3700
○ドレイン電流ID:5A ○許容損失PD:150W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V ○入力容量 (Typ.)Ciss:1150pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:28nC ○ド...
【数量1個〜】単価 ¥252
【数量100個〜】単価 ¥227
2SK3799 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET(N-ch 700V<VDSS) 2SK3799
○ドレイン電流ID:8A ○許容損失PD:50W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V ○入力容量 (Typ.)Ciss:2200pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:60nC ○ドレ...
【数量1個〜】単価 ¥252
【数量100個〜】単価 ¥227
TJ11A10M3 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET(P-ch 1素子) TJ11A10M3
○ドレイン電流ID:-11A ○許容損失PD:24W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:-100V ○入力容量 (Typ.)Ciss:3200pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:69nC ...
【数量1個〜】単価 ¥116
【数量100個〜】単価 ¥104
41件~70件(全70件)
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