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商品詳細

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東芝(TOSHIBA) 2SJ668(TE16L、NQ)
FET
■仕様
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:P-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:60 V
Id - 連続ドレイン電流:5 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:170 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:20 V
最低動作温度:- 55 C
最高動作温度:+ 150 C
Pd - 電力損失:20 W
構成:Single
チャネルモード:Enhancement
高さ:2.3 mm
長さ:6.5 mm
製品:MOSFET Small Signal
トランジスタ タイプ:1 P-Channel
幅:5.5 mm
下降時間:14 ns
上昇時間:14 ns

数量※数量限定で入荷しました。廃番品になりますので、在庫が無くなり次第販売終了となります。予めご了承ください。
◎値引対象外商品 数量限定品

在庫拠点
秋葉原
大阪
【数量1個〜】単価 ¥189 購入数:
【数量1組〜】5個1組 ¥998 購入数:
管理コード:6ATE-JCK4



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