商品詳細
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ROHM (ローム) SCH2080KE
N-channel SiC MOSFET
【ダイオードあり版】
SiC(シリコンカーバイド)によるプレーナタイプMOSFETです。
高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングで、機器の小型・省エネ化に貢献します。
【特性】
VDS [V]:1200
オン抵抗 (typ.)[mΩ]80
ID [A]:35
PD [W]:179
ジャンクション温度 (Max.)[℃]:150
保存温度範囲(Min.)[℃]:-55
保存温度範囲(Max.)[℃]:150
パッケージ:TO247
SiC(シリコンカーバイド)によるプレーナタイプMOSFETです。
高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングで、機器の小型・省エネ化に貢献します。
【特性】
VDS [V]:1200
オン抵抗 (typ.)[mΩ]80
ID [A]:35
PD [W]:179
ジャンクション温度 (Max.)[℃]:150
保存温度範囲(Min.)[℃]:-55
保存温度範囲(Max.)[℃]:150
パッケージ:TO247
秋葉原本店取扱フロア:地下1階
【関連情報】 |
メーカーサイト データシート |
管理コード:EEHD-0KAA