商品詳細
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東芝(TOSHIBA) TK22A10N1
パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V)
ドレイン電流ID:52A
許容損失PD:30W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:100V
入力容量 (Typ.)Ciss:1800pF
ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:28nC
ドレイン・ソース間オン抵抗 (Max)RDS(ON):0.0138Ω
許容損失PD:30W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:100V
入力容量 (Typ.)Ciss:1800pF
ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:28nC
ドレイン・ソース間オン抵抗 (Max)RDS(ON):0.0138Ω
【2SK2466などの代替品】
秋葉原本店取扱フロア:地下1階【関連情報】 |
東芝半導体 |
管理コード:EEHD-4HMP