商品詳細
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ON Semiconductor BC557BG
トランジスタ
バイポーラトランジスタ - BJT 100mA 50V PNP
■仕様
トランジスタ極性:PNP
構成:Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:- 45 V
コレクタ - ベース電圧 VCBO:- 50 V
エミッタ - ベース電圧 VEBO:5 V
コレクタ - エミッタ飽和電圧:- 0.3 V
最大 DC コレクタ電流:0.1 A
Pd - 電力損失:625 mW
利得帯域幅製品 fT:320 MHz
最低動作温度:- 55 C
最高動作温度:+ 150 C
高さ:5.33 mm
長さ:5.2 mm
技術:Si
幅:4.19 mm
連続コレクタ電流:- 0.1 A
DCコレクター/ベース電流増幅率 hfe/分:180
■仕様
トランジスタ極性:PNP
構成:Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:- 45 V
コレクタ - ベース電圧 VCBO:- 50 V
エミッタ - ベース電圧 VEBO:5 V
コレクタ - エミッタ飽和電圧:- 0.3 V
最大 DC コレクタ電流:0.1 A
Pd - 電力損失:625 mW
利得帯域幅製品 fT:320 MHz
最低動作温度:- 55 C
最高動作温度:+ 150 C
高さ:5.33 mm
長さ:5.2 mm
技術:Si
幅:4.19 mm
連続コレクタ電流:- 0.1 A
DCコレクター/ベース電流増幅率 hfe/分:180
※廃番品につき在庫限りで終了となります。
◎値引対象外商品 在庫限り秋葉原本店取扱フロア:地下1階
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データシート |
管理コード：EEHD-4KBY
