商品詳細
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Infineon Technologies IRLB3034PBF
MOSFET
■仕様
パッケージ/ケース:TO-220-3
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:40 V
Id - 連続ドレイン電流:343 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:1.4 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:2.5 V
Qg - ゲート電荷:108 nC
最低動作温度:- 55 C
最高動作温度:+ 175 C
Pd - 電力損失:375 W
順方向トランスコンダクタンス - 最小:286 S
下降時間:355 ns
上昇時間:827 ns
標準電源切断遅延時間:97 ns
ターンオン時の標準遅延時間:65 ns
パッケージ/ケース:TO-220-3
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:40 V
Id - 連続ドレイン電流:343 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:1.4 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:2.5 V
Qg - ゲート電荷:108 nC
最低動作温度:- 55 C
最高動作温度:+ 175 C
Pd - 電力損失:375 W
順方向トランスコンダクタンス - 最小:286 S
下降時間:355 ns
上昇時間:827 ns
標準電源切断遅延時間:97 ns
ターンオン時の標準遅延時間:65 ns
【欠品中】
秋葉原本店取扱フロア:地下1階
秋葉原本店取扱フロア:地下1階
在庫拠点
秋葉原
大阪
| 【関連情報】 |
メーカーサイト |
管理コード：EEHD-5KSL
