商品詳細
画像クリックで拡大します
東芝(TOSHIBA) TK16J60W5
MOSFET
MOSFET TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
■用途
スイッチングレギュレータ用
■特長
(1) 逆回復時間が早い: trr = 100 ns (標準)
(2) スーパージャンクション構造DTMOSの採用によりオン抵抗が低い。: RDS(ON) = 0.18 Ω (標準)
(3) ゲートスイッチングスピードの最適化。
(4) 取り扱いが簡単な, エンハンスメントタイプです。: Vth = 34.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.79 mA)
■仕様
パッケージ/ケース:TO-3PN-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:600 V
Id - 連続ドレイン電流:15.8 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:230 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:- 30 V, + 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:4.5 V
Qg - ゲート電荷:43 nC
最低動作温度:- 55 C
最高動作温度:+ 150 C
Pd - 電力損失:130 W
下降時間:5 ns
上昇時間:40 ns
標準電源切断遅延時間:100 ns
ターンオン時の標準遅延時間:75 ns
■用途
スイッチングレギュレータ用
■特長
(1) 逆回復時間が早い: trr = 100 ns (標準)
(2) スーパージャンクション構造DTMOSの採用によりオン抵抗が低い。: RDS(ON) = 0.18 Ω (標準)
(3) ゲートスイッチングスピードの最適化。
(4) 取り扱いが簡単な, エンハンスメントタイプです。: Vth = 34.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.79 mA)
■仕様
パッケージ/ケース:TO-3PN-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:600 V
Id - 連続ドレイン電流:15.8 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:230 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:- 30 V, + 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:4.5 V
Qg - ゲート電荷:43 nC
最低動作温度:- 55 C
最高動作温度:+ 150 C
Pd - 電力損失:130 W
下降時間:5 ns
上昇時間:40 ns
標準電源切断遅延時間:100 ns
ターンオン時の標準遅延時間:75 ns
※東芝 2SK3314(Q)の代替品となります。
秋葉原本店取扱フロア:地下1階在庫拠点
秋葉原
大阪
| 【関連情報】 |
東芝半導体 商品PDF |
管理コード：EEHD-5SE5
