商品詳細
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東芝(TOSHIBA) TK34E10N1
パワーMOSFET
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:100V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流(DC):75A(Tc = 25℃)
ドレイン電流(DC):34A(: Rth(ch-a) = 3.57℃/Wとなる放熱板使用時)
ドレイン電流(パルス):147A(t = 1ms)
許容損失:103W(Tc = 25℃)
東芝パッケージ名:TO-220
ドレイン・ソース間電圧:100V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流(DC):75A(Tc = 25℃)
ドレイン電流(DC):34A(: Rth(ch-a) = 3.57℃/Wとなる放熱板使用時)
ドレイン電流(パルス):147A(t = 1ms)
許容損失:103W(Tc = 25℃)
東芝パッケージ名:TO-220
在庫拠点
秋葉原
管理コード：EEHD-6K6U
