商品詳細
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東芝(TOSHIBA) TK100E08N1
パワーMOSFET
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:80V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):214A(シリコン制限)(注1,2)
ドレイン電流 (DC):100A(注1,3)
ドレイン電流 (パルス):568A(t = 1ms) (注1)
許容損失:255W(Tc = 25℃)
東芝パッケージ名:TO-220
注1:チャネル温度が150℃を超えることのない放熱条件でご使用ください。
注2:電流定格はシリコンチップの能力によって制限されます。パッケージによる電流定格の制限は100Aになりま
す。
注3: Rth(ch-a) = 2.77℃/Wとなる放熱板使用時
ドレイン・ソース間電圧:80V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):214A(シリコン制限)(注1,2)
ドレイン電流 (DC):100A(注1,3)
ドレイン電流 (パルス):568A(t = 1ms) (注1)
許容損失:255W(Tc = 25℃)
東芝パッケージ名:TO-220
注1:チャネル温度が150℃を超えることのない放熱条件でご使用ください。
注2:電流定格はシリコンチップの能力によって制限されます。パッケージによる電流定格の制限は100Aになりま
す。
注3: Rth(ch-a) = 2.77℃/Wとなる放熱板使用時
在庫拠点
秋葉原
管理コード：EEHD-6K6V
