商品詳細
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東芝(TOSHIBA) TK65A10N1
パワーMOSFET
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:100V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):148A(シリコン制限)(注1,2)
ドレイン電流 (DC):65A(注1)
ドレイン電流 (パルス):296A(t = 1ms) (注1)
許容損失:45W(Tc = 25℃)
東芝パッケージ名:TO-220SIS
注1:チャネル温度が150を超えることのない放熱条件でご使用ください。
注2:電流定格はシリコンチップの能力によって制限されます。パッケージによる電流定格の制限は100Aになります。
ドレイン・ソース間電圧:100V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):148A(シリコン制限)(注1,2)
ドレイン電流 (DC):65A(注1)
ドレイン電流 (パルス):296A(t = 1ms) (注1)
許容損失:45W(Tc = 25℃)
東芝パッケージ名:TO-220SIS
注1:チャネル温度が150を超えることのない放熱条件でご使用ください。
注2:電流定格はシリコンチップの能力によって制限されます。パッケージによる電流定格の制限は100Aになります。
在庫拠点
秋葉原
管理コード：EEHD-6K6W
