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商品詳細

INKA114AS1-T112
MOSFET Nチャネル
■仕様
・ゲート・ソース間電圧VGSS:±20V
・ドレイン電流(DC)ID:0.5A
・IDP:ドレイン電流(パルス) 1A
・全許容損失:800mW
・ドレイン・ソース間オン抵抗:1.1Ω~1.8Ω
・チャネル部温度Tch:+150℃
・保存温度Tstg:-55~+150℃

在庫拠点
秋葉原
【数量1個〜】単価 ¥63 購入数:
【数量1組〜】100個入1組 ¥5670 購入数:
管理コード:EEHD-6RLX



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