商品詳細




INKA114AS1-T112
MOSFET Nチャネル
■仕様
・ゲート・ソース間電圧VGSS:±20V
・ドレイン電流(DC)ID:0.5A
・IDP:ドレイン電流(パルス) 1A
・全許容損失:800mW
・ドレイン・ソース間オン抵抗:1.1Ω~1.8Ω
・チャネル部温度Tch:+150℃
・保存温度Tstg:-55~+150℃
・ゲート・ソース間電圧VGSS:±20V
・ドレイン電流(DC)ID:0.5A
・IDP:ドレイン電流(パルス) 1A
・全許容損失:800mW
・ドレイン・ソース間オン抵抗:1.1Ω~1.8Ω
・チャネル部温度Tch:+150℃
・保存温度Tstg:-55~+150℃
在庫拠点
秋葉原
管理コード:EEHD-6RLX