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商品詳細

INK021ABS1-T112
MOSFET Nチャネル
■仕様
・ドレイン・ソース間電圧VDSS:100V
・ゲート・ソース間電圧VGSS:±20V
・ドレイン電流(DC)ID:1.4A
・IDP:ドレイン電流(パルス) 2A、8A
・全許容損失:600mW
・ドレイン・ソース間オン抵抗:0.2Ω~0.35Ω
・チャネル部温度Tch:+150℃
・保存温度Tstg:-55~+150℃

在庫拠点
秋葉原
【数量1個〜】単価 ¥72 購入数:
【数量1組〜】100個入1組 ¥7560 購入数:
管理コード:EEHD-6RLZ



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