商品詳細




イサハヤ電子 ISA1993AS1-T112-F
シリコンPNPエピタキシャル形トランジスタ
■仕様
VCBO:コレクタ・ベース間電圧-50V
VEBO:エミッタ・ベース間電圧-6V
VCEO:コレクタ・エミッタ間電圧-50V
IC:コレクタ電流:-200mA
PC:コレクタ損失450mW
hFE:直流増幅率250~500
Tj:接合部温度+150℃
Tstg:保存温度-55~+150 ℃
VCBO:コレクタ・ベース間電圧-50V
VEBO:エミッタ・ベース間電圧-6V
VCEO:コレクタ・エミッタ間電圧-50V
IC:コレクタ電流:-200mA
PC:コレクタ損失450mW
hFE:直流増幅率250~500
Tj:接合部温度+150℃
Tstg:保存温度-55~+150 ℃
秋葉原本店取扱フロア:地下1階
在庫拠点
秋葉原
管理コード:EEHD-6UJP