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商品一覧

カテゴリー: FET

1件~40件(全83件)
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2SJ239(TE16L) 東芝(TOSHIBA)
FET 2SJ239(TE16L)
チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:P-Channel 構成:Single
【数量1個〜】単価 ¥137
【数量1組〜】5個1組 ¥662
2SJ334 東芝(TOSHIBA)
FET 2SJ334
■仕様 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:P-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:60 V Id - 連続ドレイン電流:30 A Rds On - 抵抗...
【数量1個〜】単価 ¥263
2SJ401(TE24L) 東芝(TOSHIBA)
FET 2SJ401(TE24L)
チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:P-Channel 構成:Single
【数量1個〜】単価 ¥315
【数量1組〜】5個1組 ¥1470
2SJ402(TE24L) 東芝(TOSHIBA)
FET 2SJ402(TE24L)
チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:P-Channel 構成:Single
【数量1個〜】単価 ¥315
【数量1組〜】5個1組 ¥1470
2SJ668(TE16L、NQ) 東芝(TOSHIBA)
FET 2SJ668(TE16L、NQ)
■仕様 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:P-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:60 V Id - 連続ドレイン電流:5 A Rds On - 抵抗に...
【数量1個〜】単価 ¥346
【数量1組〜】5個1組 ¥1730
東芝(TOSHIBA)
FET 2SK1381
【数量1個〜】単価 ¥851
【数量100個〜】単価 ¥766
東芝(TOSHIBA)
FET 2SK1486
【数量1個〜】単価 ¥1806
東芝(TOSHIBA)
FET 2SK2233
【数量1個〜】単価 ¥252
東芝(TOSHIBA)
FET 2SK2267
【数量1個〜】単価 ¥746
【数量100個〜】単価 ¥671
東芝(TOSHIBA)
FET 2SK2313
■絶対最大定格 ドレイン-ソース間電圧:VDSS 60V ゲート-ソース間電圧:VGSS+/-20V ドレイン電流:ID 60A 許容損失:PD 150W 極性:N-ch 内部接続:シングル ...
【数量1個〜】単価 ¥473
東芝(TOSHIBA)
FET 2SK2417
■仕様 パッケージ/ケース:TO-220FP-3 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:250 V Id - 連続ド...
【数量1個〜】単価 ¥189
東芝(TOSHIBA)
FET 2SK2606
【数量1個〜】単価 ¥462
東芝(TOSHIBA)
FET 2SK2661
■仕様 パッケージ/ケース:TO-220-3 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:500 V Id - 連続ドレイン電流:5...
【数量1個〜】単価 ¥179
2SK2698 東芝(TOSHIBA)
FET 2SK2698
■仕様 パッケージ/ケース:TO-3PN-3 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:500 V Id - 連続ドレイ...
【数量1個〜】単価 ¥1260
東芝(TOSHIBA)
FET 2SK2841
■仕様 パッケージ/ケース:TO-220-3 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:400 V Id - 連続ドレイン電流:1...
【数量1個〜】単価 ¥295
J-FET Nチャネル接合形 2SK2880-T112-D
■仕様 ・ゲート・ドレイン間電圧VGDO:VGDO-50V ・ゲート電流IG:10mA ・ドレイン電流IDSS:0.3mA(最小)~12mA(最大) ・全許容損失(Ta=25℃)PT:450mW ...
【数量1個〜】単価 ¥63
【数量1組〜】100個入1組 ¥5670
J-FET Nチャネル接合形 2SK2881-T112-D
■仕様 ・ゲート・ドレイン間電圧VGDO:VGDO-50V ・ゲート電流IG:10mA ・ドレイン電流IDSS:1mA(最小)~12mA(最大) ・全許容損失(Ta=25℃)PT:450mW ・...
【数量1個〜】単価 ¥63
【数量1組〜】100個入1組 ¥5670
2SK2917 東芝(TOSHIBA)
FET 2SK2917
■仕様 パッケージ/ケース:TO-3PN-3 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:500 V Id - 連続ドレイ...
【数量1個〜】単価 ¥830
2SK2953 東芝(TOSHIBA)
FET 2SK2953
■仕様 パッケージ/ケース:TO-3PN-3 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:600 V Id - 連続ドレイ...
【数量1個〜】単価 ¥830
2SK30A-GR ノンブランド
FET 2SK30A-GR
【数量1個〜】単価 ¥90
【数量1組〜】100個入1袋 ¥8033
東芝(TOSHIBA)
FET 2SK3125
【数量1個〜】単価 ¥462
東芝(TOSHIBA)
FET 2SK3127(Q)
■仕様 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:30 V Id - 連続ドレイン電流:45 A Rds On - 抵抗...
【数量1個〜】単価 ¥294
東芝(TOSHIBA)
FET 2SK3176
【数量1個〜】単価 ¥620
【数量100個〜】単価 ¥558
2SK3564 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 700V<VDSS) 2SK3564
【2SK2700の代替品】 【絶対最大定格】 ドレイン電流ID:3A 許容損失PD:40W ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V 【電気的特性】 入力容量 (Typ.)Ciss:7...
【数量1個〜】単価 ¥137
【数量100個〜】単価 ¥123
2SK3566 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 700V<VDSS) 2SK3566
【絶対最大定格】 ドレイン電流ID:2.5A 許容損失PD:40W ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V 【電気的特性】 入力容量 (Typ.)Ciss:470pF ゲート入力電荷 (...
【数量1個〜】単価 ¥116
2SK3700 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET(N-ch 700V<VDSS) 2SK3700
○ドレイン電流ID:5A ○許容損失PD:150W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V ○入力容量 (Typ.)Ciss:1150pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:28nC ○ド...
【数量1個〜】単価 ¥252
【数量100個〜】単価 ¥227
2SK3767 東芝(TOSHIBA)
FET 2SK3767
TO-220 ■仕様 レイン-ソース間電圧(VDSS):600V ドレイン電流(ID):2A 極性:N-ch
【数量1個〜】単価 ¥263
2SK3799 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET(N-ch 700V<VDSS) 2SK3799
○ドレイン電流ID:8A ○許容損失PD:50W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V ○入力容量 (Typ.)Ciss:2200pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:60nC ○ドレ...
【数量1個〜】単価 ¥252
【数量100個〜】単価 ¥227
東芝(TOSHIBA)
FET 2SK3880
【数量1個〜】単価 ¥357
2SK4019(Q) 東芝(TOSHIBA)
シリコンN-チャネルMOSFET 2SK4019(Q)
○4V駆動 ○オン抵抗RDS(ON)=0.17Ω(標準) ○順方向伝達アドミタンス:|Yfs|=4.5S(標準) ○漏れ電流:IDSS=100μA(最大)(VDS=100V) 【絶対最大定格...
【数量1個〜】単価 ¥105
BF256B ON Semiconductor
N-Channel J-FET BF256B
■仕様 パッケージ:TO-92 トランジスタ極性:N-Channel ソース間電圧(VGS):-30V 順方向ゲート電流(IGF):10mA 許容損失:350mW
【数量1個〜】単価 ¥53
ON Semiconductor / Fairchild
N-CH MOSFET FDS8449
極性:N-channel VDSS:40V 電流ID:7.6A PD:2.5W パッケージ:SOIC-8
【数量1個〜】単価 ¥116
【数量100個〜】単価 ¥104
MOSFET Nチャネル INK021ABS1-T112
■仕様 ・ドレイン・ソース間電圧VDSS:100V ・ゲート・ソース間電圧VGSS:±20V ・ドレイン電流(DC)ID:1.4A ・IDP:ドレイン電流(パルス) 2A、8A ・全許容損失:6...
【数量1個〜】単価 ¥72
【数量1組〜】100個入1組 ¥7560
MOSFET Nチャネル INKA114AS1-T112
■仕様 ・ゲート・ソース間電圧VGSS:±20V ・ドレイン電流(DC)ID:0.5A ・IDP:ドレイン電流(パルス) 1A ・全許容損失:800mW ・ドレイン・ソース間オン抵抗:1.1Ω~...
【数量1個〜】単価 ¥63
【数量1組〜】100個入1組 ¥5670
IRFP4321PbF International Rectifier
パワーMOSFET IRFP4321PbF
●極性:N-ch ●ドレイン電流ID:78A ●許容損失PD:310W ●ドレイン・ソース間電圧VDSS:150V ●ドレイン・ソース間オン抵抗 (typ)RDS(ON):12mΩ ●パッケージ...
【数量1個〜】単価 ¥168
【数量100個〜】単価 ¥152
IRL3713PBF International Rectifier
MOSFET 30V 200A IRL3713PBF
・N-ch ・電流Id(Max):260A ・ドレインソース電圧Vds:30V ・オン抵抗:0.003Ω ・Rds(on)テスト電圧Vgs:10V ・パルス電流Idm:1040A ・パッケージ...
【数量1個〜】単価 ¥473
【数量100個〜】単価 ¥426
IRLB3034PBF Infineon Technologies
MOSFET IRLB3034PBF
■仕様 パッケージ/ケース:TO-220-3 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:40 V Id - 連続ドレイン...
【数量1個〜】単価 ¥263

欠品中
IRLU3410PBF International Rectifier
MOSFET IRLU3410PBF
■特長 低RDS(on) 動的dv/dt定格 高速スイッチング 動作温度: 175 °C ロジックレベル ■仕様 チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:17 A 最大ドレイン-...
【数量1個〜】単価 ¥210
【数量100個〜】単価 ¥189
J111 ON Semiconductor
N-Channel J-FET J111
■仕様 パッケージ:TO-92 トランジスタ極性:N-Channel ドレイン・ゲート間電圧(VDG):35V ゲートドレイン・ソース間電流(IDss):20mA ソース間電圧(VGS):-3...
【数量1個〜】単価 ¥63
【数量100個〜】単価 ¥57
J112 ON Semiconductor
N-Channel J-FET J112
■仕様 パッケージ:TO-92 トランジスタ極性:N-Channel ゲートドレイン・ソース間電流(IDss):5mA ソース間電圧(VGS):-35V 順方向ゲート電流(IGF):50mA ...
【数量1個〜】単価 ¥63
【数量100個〜】単価 ¥57
1件~40件(全83件)
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