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カテゴリー: FET

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商品画像	メーカー名▼ 商品名▼ / 型番 / 通販価格(税込)	詳細
	東芝(TOSHIBA) FET　2SJ239(TE16L) チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:P-Channel 構成:Single 【数量1個〜】単価 ¥137 【数量1組〜】5個1組 ¥662
	東芝(TOSHIBA) FET　2SJ334 ■仕様チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:P-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:60 V Id - 連続ドレイン電流:30 A Rds On - 抵抗... 【数量1個〜】単価 ¥263
	東芝(TOSHIBA) FET　2SJ401(TE24L) チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:P-Channel 構成:Single 【数量1個〜】単価 ¥315 【数量1組〜】5個1組 ¥1470
	東芝(TOSHIBA) FET　2SJ402(TE24L) チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:P-Channel 構成:Single 【数量1個〜】単価 ¥315 【数量1組〜】5個1組 ¥1470
	東芝(TOSHIBA) FET　2SJ668(TE16L、NQ) ■仕様チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:P-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:60 V Id - 連続ドレイン電流:5 A Rds On - 抵抗に... 【数量1個〜】単価 ¥346 【数量1組〜】5個1組 ¥1730
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK1381 【数量1個〜】単価 ¥851 【数量100個〜】単価 ¥766
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK1486 【数量1個〜】単価 ¥1806
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK2233 【数量1個〜】単価 ¥252
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK2267 【数量1個〜】単価 ¥746 【数量100個〜】単価 ¥671
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK2313 ■絶対最大定格ドレイン-ソース間電圧:VDSS 60V ゲート-ソース間電圧:VGSS+/-20V ドレイン電流:ID 60A 許容損失:PD 150W 極性:N-ch 内部接続:シングル ... 【数量1個〜】単価 ¥473
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK2417 ■仕様パッケージ/ケース:TO-220FP-3 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:250 V Id - 連続ド... 【数量1個〜】単価 ¥189
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK2606 【数量1個〜】単価 ¥462
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK2661 ■仕様パッケージ/ケース:TO-220-3 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:500 V Id - 連続ドレイン電流:5... 【数量1個〜】単価 ¥179
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK2698 ■仕様パッケージ/ケース:TO-3PN-3 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:500 V Id - 連続ドレイ... 【数量1個〜】単価 ¥1260
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK2841 ■仕様パッケージ/ケース:TO-220-3 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:400 V Id - 連続ドレイン電流:1... 【数量1個〜】単価 ¥295
	J-FET Nチャネル接合形　2SK2880-T112-D ■仕様・ゲート・ドレイン間電圧VGDO:VGDO-50V ・ゲート電流IG:10mA ・ドレイン電流IDSS:0.3mA(最小)～12mA(最大) ・全許容損失(Ta=25℃)PT:450mW ... 【数量1個〜】単価 ¥63 【数量1組〜】100個入1組 ¥5670
	J-FET Nチャネル接合形　2SK2881-T112-D ■仕様・ゲート・ドレイン間電圧VGDO:VGDO-50V ・ゲート電流IG:10mA ・ドレイン電流IDSS:1mA(最小)～12mA(最大) ・全許容損失(Ta=25℃)PT:450mW ・... 【数量1個〜】単価 ¥63 【数量1組〜】100個入1組 ¥5670
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK2917 ■仕様パッケージ/ケース:TO-3PN-3 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:500 V Id - 連続ドレイ... 【数量1個〜】単価 ¥830
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK2953 ■仕様パッケージ/ケース:TO-3PN-3 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:600 V Id - 連続ドレイ... 【数量1個〜】単価 ¥830
	ノンブランド FET　2SK30A-GR 【数量1個〜】単価 ¥90 【数量1組〜】100個入1袋 ¥8033
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK3125 【数量1個〜】単価 ¥462
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK3127(Q) ■仕様チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:30 V Id - 連続ドレイン電流:45 A Rds On - 抵抗... 【数量1個〜】単価 ¥294
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK3176 【数量1個〜】単価 ¥620 【数量100個〜】単価 ¥558
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 700V＜VDSS)　2SK3564 【2SK2700の代替品】【絶対最大定格】ドレイン電流ID:3A 許容損失PD:40W ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V 【電気的特性】入力容量 (Typ.)Ciss:7... 【数量1個〜】単価 ¥137 【数量100個〜】単価 ¥123
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 700V＜VDSS)　2SK3566 【絶対最大定格】ドレイン電流ID:2.5A 許容損失PD:40W ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V 【電気的特性】入力容量 (Typ.)Ciss:470pF ゲート入力電荷 (... 【数量1個〜】単価 ¥116
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(N-ch 700V＜VDSS)　2SK3700 ○ドレイン電流ID:5A ○許容損失PD:150W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V ○入力容量 (Typ.)Ciss:1150pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:28nC ○ド... 【数量1個〜】単価 ¥252 【数量100個〜】単価 ¥227
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK3767 TO-220 ■仕様レイン-ソース間電圧(VDSS):600V ドレイン電流(ID):2A 極性:N-ch 【数量1個〜】単価 ¥263
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(N-ch 700V＜VDSS)　2SK3799 ○ドレイン電流ID:8A ○許容損失PD:50W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V ○入力容量 (Typ.)Ciss:2200pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:60nC ○ドレ... 【数量1個〜】単価 ¥252 【数量100個〜】単価 ¥227
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK3880 【数量1個〜】単価 ¥357
	東芝(TOSHIBA) シリコンN-チャネルMOSFET　2SK4019(Q) ○4V駆動 ○オン抵抗RDS(ON)=0.17Ω(標準) ○順方向伝達アドミタンス:\|Yfs\|=4.5S(標準) ○漏れ電流:IDSS=100μA(最大)(VDS=100V) 【絶対最大定格... 【数量1個〜】単価 ¥105
	ON Semiconductor N-Channel J-FET　BF256B ■仕様パッケージ:TO-92 トランジスタ極性:N-Channel ソース間電圧(VGS):-30V 順方向ゲート電流(IGF):10mA 許容損失:350mW 【数量1個〜】単価 ¥53
	ON Semiconductor / Fairchild N-CH MOSFET　FDS8449 極性:N-channel VDSS:40V 電流ID:7.6A PD:2.5W パッケージ:SOIC-8 【数量1個〜】単価 ¥116 【数量100個〜】単価 ¥104
	MOSFET Nチャネル　INK021ABS1-T112 ■仕様・ドレイン・ソース間電圧VDSS:100V ・ゲート・ソース間電圧VGSS:±20V ・ドレイン電流(DC)ID:1.4A ・IDP:ドレイン電流(パルス) 2A、8A ・全許容損失:6... 【数量1個〜】単価 ¥72 【数量1組〜】100個入1組 ¥7560
	MOSFET Nチャネル　INKA114AS1-T112 ■仕様・ゲート・ソース間電圧VGSS:±20V ・ドレイン電流(DC)ID:0.5A ・IDP:ドレイン電流(パルス) 1A ・全許容損失:800mW ・ドレイン・ソース間オン抵抗:1.1Ω～... 【数量1個〜】単価 ¥63 【数量1組〜】100個入1組 ¥5670
	International Rectifier パワーMOSFET　IRFP4321PbF ●極性:N-ch ●ドレイン電流ID:78A ●許容損失PD:310W ●ドレイン・ソース間電圧VDSS:150V ●ドレイン・ソース間オン抵抗 (typ)RDS(ON):12mΩ ●パッケージ... 【数量1個〜】単価 ¥168 【数量100個〜】単価 ¥152
	International Rectifier MOSFET 30V 200A　IRL3713PBF ・N-ch ・電流Id(Max):260A ・ドレインソース電圧Vds:30V ・オン抵抗:0.003Ω ・Rds(on)テスト電圧Vgs:10V ・パルス電流Idm:1040A ・パッケージ... 【数量1個〜】単価 ¥473 【数量100個〜】単価 ¥426
	Infineon Technologies MOSFET　IRLB3034PBF ■仕様パッケージ/ケース:TO-220-3 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:40 V Id - 連続ドレイン... 【数量1個〜】単価 ¥263	欠品中
	International Rectifier MOSFET　IRLU3410PBF ■特長低RDS(on) 動的dv/dt定格高速スイッチング動作温度: 175 °C ロジックレベル ■仕様チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:17 A 最大ドレイン-... 【数量1個〜】単価 ¥210 【数量100個〜】単価 ¥189
	ON Semiconductor N-Channel J-FET　J111 ■仕様パッケージ:TO-92 トランジスタ極性:N-Channel ドレイン・ゲート間電圧(VDG):35V ゲートドレイン・ソース間電流(IDss):20mA ソース間電圧(VGS):-3... 【数量1個〜】単価 ¥63 【数量100個〜】単価 ¥57
	ON Semiconductor N-Channel J-FET　J112 ■仕様パッケージ:TO-92 トランジスタ極性:N-Channel ゲートドレイン・ソース間電流(IDss):5mA ソース間電圧(VGS):-35V 順方向ゲート電流(IGF):50mA ... 【数量1個〜】単価 ¥63 【数量100個〜】単価 ¥57