商品一覧
カテゴリー: FET
商品画像 | メーカー名▼ 商品名▼ / 型番 / 通販価格(税込) |
詳細 |
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東芝(TOSHIBA) FET 2SJ239(TE16L)
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:P-Channel
構成:Single
【数量1個〜】単価 ¥137
【数量1組〜】5個1組 ¥662 |
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東芝(TOSHIBA) FET 2SJ334
■仕様
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:P-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:60 V
Id - 連続ドレイン電流:30 A
Rds On - 抵抗...
【数量1個〜】単価 ¥263
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東芝(TOSHIBA) FET 2SJ401(TE24L)
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:P-Channel
構成:Single
【数量1個〜】単価 ¥315
【数量1組〜】5個1組 ¥1470 |
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東芝(TOSHIBA) FET 2SJ402(TE24L)
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:P-Channel
構成:Single
【数量1個〜】単価 ¥315
【数量1組〜】5個1組 ¥1470 |
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東芝(TOSHIBA) FET 2SJ668(TE16L、NQ)
■仕様
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:P-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:60 V
Id - 連続ドレイン電流:5 A
Rds On - 抵抗に...
【数量1個〜】単価 ¥346
【数量1組〜】5個1組 ¥1730 |
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK1381
【数量1個〜】単価 ¥851
【数量100個〜】単価 ¥766 |
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK1486
【数量1個〜】単価 ¥1806
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK2233
【数量1個〜】単価 ¥252
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK2267
【数量1個〜】単価 ¥746
【数量100個〜】単価 ¥671 |
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK2313
■絶対最大定格
ドレイン-ソース間電圧:VDSS 60V
ゲート-ソース間電圧:VGSS+/-20V
ドレイン電流:ID 60A
許容損失:PD 150W
極性:N-ch
内部接続:シングル
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【数量1個〜】単価 ¥473
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK2417
■仕様
パッケージ/ケース:TO-220FP-3
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:250 V
Id - 連続ド...
【数量1個〜】単価 ¥189
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK2606
【数量1個〜】単価 ¥462
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK2661
■仕様
パッケージ/ケース:TO-220-3
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:500 V
Id - 連続ドレイン電流:5...
【数量1個〜】単価 ¥179
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK2698
■仕様
パッケージ/ケース:TO-3PN-3
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:500 V
Id - 連続ドレイ...
【数量1個〜】単価 ¥1260
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK2841
■仕様
パッケージ/ケース:TO-220-3
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:400 V
Id - 連続ドレイン電流:1...
【数量1個〜】単価 ¥295
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J-FET Nチャネル接合形 2SK2880-T112-D
■仕様
・ゲート・ドレイン間電圧VGDO:VGDO-50V
・ゲート電流IG:10mA
・ドレイン電流IDSS:0.3mA(最小)~12mA(最大)
・全許容損失(Ta=25℃)PT:450mW
...
【数量1個〜】単価 ¥63
【数量1組〜】100個入1組 ¥5670 |
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J-FET Nチャネル接合形 2SK2881-T112-D
■仕様
・ゲート・ドレイン間電圧VGDO:VGDO-50V
・ゲート電流IG:10mA
・ドレイン電流IDSS:1mA(最小)~12mA(最大)
・全許容損失(Ta=25℃)PT:450mW
・...
【数量1個〜】単価 ¥63
【数量1組〜】100個入1組 ¥5670 |
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK2917
■仕様
パッケージ/ケース:TO-3PN-3
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:500 V
Id - 連続ドレイ...
【数量1個〜】単価 ¥830
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK2953
■仕様
パッケージ/ケース:TO-3PN-3
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:600 V
Id - 連続ドレイ...
【数量1個〜】単価 ¥830
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ノンブランド FET 2SK30A-GR
【数量1個〜】単価 ¥90
【数量1組〜】100個入1袋 ¥8033 |
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK3125
【数量1個〜】単価 ¥462
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK3127(Q)
■仕様
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:30 V
Id - 連続ドレイン電流:45 A
Rds On - 抵抗...
【数量1個〜】単価 ¥294
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK3176
【数量1個〜】単価 ¥620
【数量100個〜】単価 ¥558 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 700V<VDSS) 2SK3564
【2SK2700の代替品】
【絶対最大定格】
ドレイン電流ID:3A
許容損失PD:40W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V
【電気的特性】
入力容量 (Typ.)Ciss:7...
【数量1個〜】単価 ¥137
【数量100個〜】単価 ¥123 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 700V<VDSS) 2SK3566
【絶対最大定格】
ドレイン電流ID:2.5A
許容損失PD:40W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V
【電気的特性】
入力容量 (Typ.)Ciss:470pF
ゲート入力電荷 (...
【数量1個〜】単価 ¥116
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(N-ch 700V<VDSS) 2SK3700
○ドレイン電流ID:5A
○許容損失PD:150W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V
○入力容量 (Typ.)Ciss:1150pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:28nC
○ド...
【数量1個〜】単価 ¥252
【数量100個〜】単価 ¥227 |
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK3767
TO-220
■仕様
レイン-ソース間電圧(VDSS):600V
ドレイン電流(ID):2A
極性:N-ch
【数量1個〜】単価 ¥263
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(N-ch 700V<VDSS) 2SK3799
○ドレイン電流ID:8A
○許容損失PD:50W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V
○入力容量 (Typ.)Ciss:2200pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:60nC
○ドレ...
【数量1個〜】単価 ¥252
【数量100個〜】単価 ¥227 |
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK3880
【数量1個〜】単価 ¥357
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東芝(TOSHIBA) シリコンN-チャネルMOSFET 2SK4019(Q)
○4V駆動
○オン抵抗RDS(ON)=0.17Ω(標準)
○順方向伝達アドミタンス:|Yfs|=4.5S(標準)
○漏れ電流:IDSS=100μA(最大)(VDS=100V)
【絶対最大定格...
【数量1個〜】単価 ¥105
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ON Semiconductor N-Channel J-FET BF256B
■仕様
パッケージ:TO-92
トランジスタ極性:N-Channel
ソース間電圧(VGS):-30V
順方向ゲート電流(IGF):10mA
許容損失:350mW
【数量1個〜】単価 ¥53
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ON Semiconductor / Fairchild N-CH MOSFET FDS8449
極性:N-channel
VDSS:40V
電流ID:7.6A
PD:2.5W
パッケージ:SOIC-8
【数量1個〜】単価 ¥116
【数量100個〜】単価 ¥104 |
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MOSFET Nチャネル INK021ABS1-T112
■仕様
・ドレイン・ソース間電圧VDSS:100V
・ゲート・ソース間電圧VGSS:±20V
・ドレイン電流(DC)ID:1.4A
・IDP:ドレイン電流(パルス) 2A、8A
・全許容損失:6...
【数量1個〜】単価 ¥72
【数量1組〜】100個入1組 ¥7560 |
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MOSFET Nチャネル INKA114AS1-T112
■仕様
・ゲート・ソース間電圧VGSS:±20V
・ドレイン電流(DC)ID:0.5A
・IDP:ドレイン電流(パルス) 1A
・全許容損失:800mW
・ドレイン・ソース間オン抵抗:1.1Ω~...
【数量1個〜】単価 ¥63
【数量1組〜】100個入1組 ¥5670 |
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International Rectifier パワーMOSFET IRFP4321PbF
●極性:N-ch
●ドレイン電流ID:78A
●許容損失PD:310W
●ドレイン・ソース間電圧VDSS:150V
●ドレイン・ソース間オン抵抗 (typ)RDS(ON):12mΩ
●パッケージ...
【数量1個〜】単価 ¥168
【数量100個〜】単価 ¥152 |
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International Rectifier MOSFET 30V 200A IRL3713PBF
・N-ch
・電流Id(Max):260A
・ドレインソース電圧Vds:30V
・オン抵抗:0.003Ω
・Rds(on)テスト電圧Vgs:10V
・パルス電流Idm:1040A
・パッケージ...
【数量1個〜】単価 ¥473
【数量100個〜】単価 ¥426 |
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Infineon Technologies MOSFET IRLB3034PBF
■仕様
パッケージ/ケース:TO-220-3
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:40 V
Id - 連続ドレイン...
【数量1個〜】単価 ¥263
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International Rectifier MOSFET IRLU3410PBF
■特長
低RDS(on)
動的dv/dt定格
高速スイッチング
動作温度: 175 °C
ロジックレベル
■仕様
チャンネルタイプ:N
最大連続ドレイン電流:17 A
最大ドレイン-...
【数量1個〜】単価 ¥210
【数量100個〜】単価 ¥189 |
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ON Semiconductor N-Channel J-FET J111
■仕様
パッケージ:TO-92
トランジスタ極性:N-Channel
ドレイン・ゲート間電圧(VDG):35V
ゲートドレイン・ソース間電流(IDss):20mA
ソース間電圧(VGS):-3...
【数量1個〜】単価 ¥63
【数量100個〜】単価 ¥57 |
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ON Semiconductor N-Channel J-FET J112
■仕様
パッケージ:TO-92
トランジスタ極性:N-Channel
ゲートドレイン・ソース間電流(IDss):5mA
ソース間電圧(VGS):-35V
順方向ゲート電流(IGF):50mA
...
【数量1個〜】単価 ¥63
【数量100個〜】単価 ¥57 |