商品一覧
カテゴリー: FET
| 商品画像 | メーカー名▼ 商品名▼ / 型番 / 通販価格(税込) |
詳細 |
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東芝(TOSHIBA) FET 2SJ239(TE16L)
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:P-Channel
構成:Single
【数量1個〜】単価 ¥137
【数量1組〜】5個1組 ¥662 |
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東芝(TOSHIBA) FET 2SJ334
■仕様
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:P-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:60 V
Id - 連続ドレイン電流:30 A
Rds On - 抵抗...
【数量1個〜】単価 ¥263
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東芝(TOSHIBA) FET 2SJ401(TE24L)
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:P-Channel
構成:Single
【数量1個〜】単価 ¥315
【数量1組〜】5個1組 ¥1470 |
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東芝(TOSHIBA) FET 2SJ402(TE24L)
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:P-Channel
構成:Single
【数量1個〜】単価 ¥315
【数量1組〜】5個1組 ¥1470 |
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東芝(TOSHIBA) FET 2SJ668(TE16L、NQ)
■仕様
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:P-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:60 V
Id - 連続ドレイン電流:5 A
Rds On - 抵抗に...
【数量1個〜】単価 ¥346
【数量1組〜】5個1組 ¥1730 |
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK1381
【数量1個〜】単価 ¥851
【数量100個〜】単価 ¥766 |
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK1382
【数量1個〜】単価 ¥1701
【数量100個〜】単価 ¥1559 |
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK1486
【数量1個〜】単価 ¥1806
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK2173
■仕様
パッケージ/ケース:TO-3PN-3
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:60 V
Id - 連続ドレイン...
【数量1個〜】単価 ¥368
【数量100個〜】単価 ¥331 |
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK2233
【数量1個〜】単価 ¥252
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK2267
【数量1個〜】単価 ¥746
【数量100個〜】単価 ¥671 |
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK2313
■絶対最大定格
ドレイン-ソース間電圧:VDSS 60V
ゲート-ソース間電圧:VGSS+/-20V
ドレイン電流:ID 60A
許容損失:PD 150W
極性:N-ch
内部接続:シングル
...
【数量1個〜】単価 ¥473
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK2417
■仕様
パッケージ/ケース:TO-220FP-3
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:250 V
Id - 連続ド...
【数量1個〜】単価 ¥189
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK2606
【数量1個〜】単価 ¥462
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK2661
■仕様
パッケージ/ケース:TO-220-3
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:500 V
Id - 連続ドレイン電流:5...
【数量1個〜】単価 ¥179
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK2698
■仕様
パッケージ/ケース:TO-3PN-3
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:900 V
Id - 連続ドレイ...
【数量1個〜】単価 ¥1260
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK2841
■仕様
パッケージ/ケース:TO-220-3
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:400 V
Id - 連続ドレイン電流:1...
【数量1個〜】単価 ¥295
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK2917
■仕様
パッケージ/ケース:TO-3PN-3
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:500 V
Id - 連続ドレイ...
【数量1個〜】単価 ¥830
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK2953
■仕様
パッケージ/ケース:TO-3PN-3
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:600 V
Id - 連続ドレイ...
【数量1個〜】単価 ¥830
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK3067
シリコンNチャンネルMOS形
スイッチングレギュレータ、DC-DCコンバータ用、モータドライバ用
パッケージ:TO220
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:600V
ゲート・ソース間電圧:±3...
【数量1個〜】単価 ¥326
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ノンブランド FET 2SK30A-GR
【数量1個〜】単価 ¥90
【数量1組〜】100個入1袋 ¥8033 |
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK3125
【数量1個〜】単価 ¥462
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK3127(Q)
■仕様
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:30 V
Id - 連続ドレイン電流:45 A
Rds On - 抵抗...
【数量1個〜】単価 ¥294
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK3176
【数量1個〜】単価 ¥620
【数量100個〜】単価 ¥558 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 700V＜VDSS) 2SK3564
【2SK2700の代替品】
【絶対最大定格】
ドレイン電流ID:3A
許容損失PD:40W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V
【電気的特性】
入力容量 (Typ.)Ciss:7...
【数量1個〜】単価 ¥137
【数量100個〜】単価 ¥123 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 700V＜VDSS) 2SK3566
【絶対最大定格】
ドレイン電流ID:2.5A
許容損失PD:40W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V
【電気的特性】
入力容量 (Typ.)Ciss:470pF
ゲート入力電荷 (...
【数量1個〜】単価 ¥111
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欠品中 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(N-ch 700V＜VDSS) 2SK3700
○ドレイン電流ID:5A
○許容損失PD:150W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V
○入力容量 (Typ.)Ciss:1150pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:28nC
○ド...
【数量1個〜】単価 ¥252
【数量100個〜】単価 ¥227 |
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK3767
TO-220
■仕様
レイン-ソース間電圧(VDSS):600V
ドレイン電流(ID):2A
極性:N-ch
【数量1個〜】単価 ¥263
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欠品中 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(N-ch 700V＜VDSS) 2SK3799
○ドレイン電流ID:8A
○許容損失PD:50W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V
○入力容量 (Typ.)Ciss:2200pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:60nC
○ドレ...
【数量1個〜】単価 ¥252
【数量100個〜】単価 ¥227 |
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK3845(Q)
■仕様
パッケージ/ケース:TO-3PN-3
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:60 V
Id - 連続ドレイン...
【数量1個〜】単価 ¥420
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東芝(TOSHIBA) FET 2SK3880
【数量1個〜】単価 ¥357
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東芝(TOSHIBA) シリコンN-チャネルMOSFET 2SK4019(Q)
○4V駆動
○オン抵抗RDS(ON)=0.17Ω(標準)
○順方向伝達アドミタンス:|Yfs|=4.5S(標準)
○漏れ電流:IDSS=100μA(最大)(VDS=100V)
【絶対最大定格...
【数量1個〜】単価 ¥105
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ON Semiconductor / Fairchild N-CH MOSFET FDS8449
極性:N-channel
VDSS:40V
電流ID:7.6A
PD:2.5W
パッケージ:SOIC-8
【数量1個〜】単価 ¥116
【数量100個〜】単価 ¥104 |
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International Rectifier パワーMOSFET IRFP4321PbF
●極性:N-ch
●ドレイン電流ID:78A
●許容損失PD:310W
●ドレイン・ソース間電圧VDSS:150V
●ドレイン・ソース間オン抵抗 (typ)RDS(ON):12mΩ
●パッケージ...
【数量1個〜】単価 ¥168
【数量100個〜】単価 ¥152 |
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International Rectifier MOSFET 30V 200A IRL3713PBF
・N-ch
・電流Id(Max):260A
・ドレインソース電圧Vds:30V
・オン抵抗:0.003Ω
・Rds(on)テスト電圧Vgs:10V
・パルス電流Idm:1040A
・パッケージ...
【数量1個〜】単価 ¥473
【数量100個〜】単価 ¥426 |
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Infineon Technologies MOSFET IRLB3034PBF
■仕様
パッケージ/ケース:TO-220-3
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:40 V
Id - 連続ドレイン...
【数量1個〜】単価 ¥263
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欠品中 |
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International Rectifier MOSFET IRLU3410PBF
■特長
低RDS(on)
動的dv/dt定格
高速スイッチング
動作温度: 175 °C
ロジックレベル
■仕様
チャンネルタイプ:N
最大連続ドレイン電流:17 A
最大ドレイン-...
【数量1個〜】単価 ¥210
【数量100個〜】単価 ¥189 |
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ROHM (ローム) N-channel SiC MOSFET SCH2080KE
【ダイオードあり版】
SiC(シリコンカーバイド)によるプレーナタイプMOSFETです。
高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングで、機器の小型・省エネ化に貢献します。
【特性】
VDS [...
【数量1個〜】単価 ¥7797
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ST Micro MOSFET STF11NM50N
■仕様
パッケージ:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:500V
Id:8.5A
Rds On:470 mOhms
Vgs:-25...
【数量1個〜】単価 ¥263
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ST Micro MOSFET STF7N60M2
■仕様
パッケージ:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:600V
Id - 連続ドレイン...
【数量1個〜】単価 ¥263
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