商品一覧
カテゴリー: N-channel
商品画像 | メーカー名▼ 商品名 / 型番▼ / 通販価格(税込) |
詳細 |
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ROHM (ローム) N-channel SiC MOSFET SCH2080KE
【ダイオードあり版】
SiC(シリコンカーバイド)によるプレーナタイプMOSFETです。
高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングで、機器の小型・省エネ化に貢献します。
【特性】
VDS [...
【数量1個〜】単価 ¥7797
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東芝(TOSHIBA) シリコンN-チャネルMOSFET 2SK4019(Q)
○4V駆動
○オン抵抗RDS(ON)=0.17Ω(標準)
○順方向伝達アドミタンス:|Yfs|=4.5S(標準)
○漏れ電流:IDSS=100μA(最大)(VDS=100V)
【絶対最大定格...
【数量1個〜】単価 ¥105
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International Rectifier パワーMOSFET IRFP4321PbF
●極性:N-ch
●ドレイン電流ID:78A
●許容損失PD:310W
●ドレイン・ソース間電圧VDSS:150V
●ドレイン・ソース間オン抵抗 (typ)RDS(ON):12mΩ
●パッケージ...
【数量1個〜】単価 ¥168
【数量100個〜】単価 ¥152 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 150V<VDSS≤250V) TK8A25DA
【2SK2381,2SK2417の代替品】
【絶対最大定格】
ドレイン電流ID:7.5A
許容損失PD:30W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:250V
【電気的特性】
入力容...
【数量1個〜】単価 ¥116
【数量100個〜】単価 ¥104 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 150V<VDSS≤250V) TK20A25D
【2SK2382の後継品】
極性:N-ch
【絶対最大定格】
ドレイン電流ID:20A
許容損失PD:45W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:250V
【電気的特性】
入力容量 ...
【数量1個〜】単価 ¥231
【数量100個〜】単価 ¥208 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V<VDSS≤60V) TK30A06N1
【2SK2312の代替品】
ドレイン電流ID:43A
許容損失PD:25W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:60V
ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:16nC
ドレイン・ソース間オン抵抗 (...
【数量1個〜】単価 ¥105
【数量100個〜】単価 ¥95 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V) TK22A10N1
ドレイン電流ID:52A
許容損失PD:30W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:100V
入力容量 (Typ.)Ciss:1800pF
ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:28nC
ドレイン・ソー...
【数量1個〜】単価 ¥126
【数量100個〜】単価 ¥114 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 250V<VDSS≤500V) TK12A50D
【2SK2842の代替品】
【絶対最大定格】
ドレイン電流ID:12A
許容損失PD:45W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:500V
【電気的特性】
入力容量 (Typ.)Ciss:13...
【数量1個〜】単価 ¥231
【数量100個〜】単価 ¥208 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 250V<VDSS≤500V) TK7A45DA
○ドレイン電流ID:6.5A
○許容損失PD:35W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:450V
○入力容量 (Typ.)Ciss:540pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:11nC
○ド...
【数量1個〜】単価 ¥111
【数量100個〜】単価 ¥100 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) TK8A60DA(Q)
極性:Nch
ドレイン-ソース間電圧VDSS:600V
ドレイン電流ID:7.5A
許容損失PD:45W
ゲート入力電荷量Qg(nC)(typ.):20
ドレイン-ソース間オン...
【数量1個〜】単価 ¥168
【数量100個〜】単価 ¥152 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) TK6A60D
2SK2545の代替品
極性:Nch
ドレイン-ソース間電圧VDSS:600V
ドレイン電流ID:6A
許容損失PD:40W
ゲート入力電荷量Qg(nC)(typ.):16
ド...
【数量1個〜】単価 ¥142
【数量100個〜】単価 ¥129 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) TK4A60DA
2SK2750の代替品
極性:Nch
ドレイン-ソース間電圧VDSS:600V
ドレイン電流ID:3.5A
許容損失PD:35W
ゲート入力電荷量Qg(nC)(typ.):1...
【数量1個〜】単価 ¥153
【数量100個〜】単価 ¥138 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) TK5A50D
○ドレイン電流ID:5A
○許容損失PD:35W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:500V
○入力容量 (Typ.)Ciss:490pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:11nC
○ドレイ...
【数量1個〜】単価 ¥105
【数量100個〜】単価 ¥95 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) TK12J60U
○ドレイン電流ID:12A
○許容損失PD:144W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:600V
○入力容量 (Typ.)Ciss:720pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:14nC
○ド...
【数量1個〜】単価 ¥233
【数量100個〜】単価 ¥208 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) TK3A60DA
○ドレイン電流ID:2.5A
○許容損失PD:30W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:600V
○入力容量 (Typ.)Ciss:380pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:9nC
○ドレ...
【数量1個〜】単価 ¥74
【数量100個〜】単価 ¥67 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 700V<VDSS) 2SK3564
【2SK2700の代替品】
【絶対最大定格】
ドレイン電流ID:3A
許容損失PD:40W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V
【電気的特性】
入力容量 (Typ.)Ciss:7...
【数量1個〜】単価 ¥137
【数量100個〜】単価 ¥123 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 700V<VDSS) 2SK3566
【絶対最大定格】
ドレイン電流ID:2.5A
許容損失PD:40W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V
【電気的特性】
入力容量 (Typ.)Ciss:470pF
ゲート入力電荷 (...
【数量1個〜】単価 ¥111
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(N-ch 150V<VDSS≤250V) TK13A25D
○ドレイン電流ID:13A
○許容損失PD:35W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:250V
○入力容量 (Typ.)Ciss:1100pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:25nC
○ド...
【数量1個〜】単価 ¥147
【数量100個〜】単価 ¥133 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(N-ch 250V<VDSS≤500V) TK8A50D
【絶対最大定格】
ドレイン電流ID:8A
許容損失PD:40W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:500V
【電気的特性】
入力容量(Typ.)Ciss:800pF
ゲート入力電荷(Typ....
【数量1個〜】単価 ¥137
【数量100個〜】単価 ¥123 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(N-ch 700V<VDSS) 2SK3700
○ドレイン電流ID:5A
○許容損失PD:150W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V
○入力容量 (Typ.)Ciss:1150pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:28nC
○ド...
【数量1個〜】単価 ¥252
【数量100個〜】単価 ¥227 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(N-ch 700V<VDSS) 2SK3799
○ドレイン電流ID:8A
○許容損失PD:50W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V
○入力容量 (Typ.)Ciss:2200pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:60nC
○ドレ...
【数量1個〜】単価 ¥252
【数量100個〜】単価 ¥227 |