商品一覧

商品画像	メーカー名▼ 商品名▼ / 型番▼ / 通販価格(税込)	詳細
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (P-ch 1素子)　TJ60S04M3L ■仕様ドレイン・ソース間電圧:-40V ゲート・ソース間電圧:-20V～+10V ドレイン電流 (DC):-60A 許容損失:90W 東芝パッケージ名:DPAK+ 用途:車載 / モータード... 【数量1個〜】単価 ¥150 【数量100個〜】単価 ¥135
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (P-ch 1素子)　TJ8S06M3L ■仕様ドレイン・ソース間電圧:-60V ゲート・ソース間電圧:-20V～+10V ドレイン電流 (DC):-8A 許容損失:27W 東芝パッケージ名:DPAK+ 用途:車載 / モータードラ... 【数量1個〜】単価 ¥100 【数量100個〜】単価 ¥90
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (P-ch 1素子)　TJ15S06M3L ■仕様ドレイン・ソース間電圧:-60V ゲート・ソース間電圧:-20V～+10V ドレイン電流 (DC):-15A 許容損失:41W 東芝パッケージ名:DPAK+ 用途:車載 / モータード... 【数量1個〜】単価 ¥100 【数量100個〜】単価 ¥90
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK2661 ■仕様パッケージ/ケース:TO-220-3 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:500 V Id - 連続ドレイン電流:5... 【数量1個〜】単価 ¥179
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK2698 ■仕様パッケージ/ケース:TO-3PN-3 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:500 V Id - 連続ドレイ... 【数量1個〜】単価 ¥1260
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK3880 【数量1個〜】単価 ¥357
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK3176 【数量1個〜】単価 ¥620 【数量100個〜】単価 ¥558
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK3127(Q) ■仕様チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:30 V Id - 連続ドレイン電流:45 A Rds On - 抵抗... 【数量1個〜】単価 ¥294
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK1381 【数量1個〜】単価 ¥851 【数量100個〜】単価 ¥766
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK2267 【数量1個〜】単価 ¥746 【数量100個〜】単価 ¥671	欠品中
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK2606 【数量1個〜】単価 ¥462
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK1486 【数量1個〜】単価 ¥1806
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK2917 ■仕様パッケージ/ケース:TO-3PN-3 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:500 V Id - 連続ドレイ... 【数量1個〜】単価 ¥830
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK2417 ■仕様パッケージ/ケース:TO-220FP-3 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:250 V Id - 連続ド... 【数量1個〜】単価 ¥189
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK2841 ■仕様パッケージ/ケース:TO-220-3 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:400 V Id - 連続ドレイン電流:1... 【数量1個〜】単価 ¥295
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK2313 ■絶対最大定格ドレイン-ソース間電圧:VDSS 60V ゲート-ソース間電圧:VGSS+/-20V ドレイン電流:ID 60A 許容損失:PD 150W 極性:N-ch 内部接続:シングル ... 【数量1個〜】単価 ¥473	欠品中
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK3125 【数量1個〜】単価 ¥462
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK2953 ■仕様パッケージ/ケース:TO-3PN-3 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:600 V Id - 連続ドレイ... 【数量1個〜】単価 ¥830
	ROHM (ローム) N-channel SiC MOSFET　SCH2080KE 【ダイオードあり版】 SiC(シリコンカーバイド)によるプレーナタイプMOSFETです。高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングで、機器の小型・省エネ化に貢献します。【特性】 VDS [... 【数量1個〜】単価 ¥7797
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 150V＜VDSS≤250V)　TK8A25DA 【2SK2381,2SK2417の代替品】【絶対最大定格】ドレイン電流ID:7.5A 許容損失PD:30W ドレイン・ソース間電圧VDSS:250V 【電気的特性】入力容... 【数量1個〜】単価 ¥116 【数量100個〜】単価 ¥104
	International Rectifier MOSFET 30V 200A　IRL3713PBF ・N-ch ・電流Id(Max):260A ・ドレインソース電圧Vds:30V ・オン抵抗:0.003Ω ・Rds(on)テスト電圧Vgs:10V ・パルス電流Idm:1040A ・パッケージ... 【数量1個〜】単価 ¥473 【数量100個〜】単価 ¥426
	ON Semiconductor / Fairchild N-CH MOSFET　FDS8449 極性:N-channel VDSS:40V 電流ID:7.6A PD:2.5W パッケージ:SOIC-8 【数量1個〜】単価 ¥116 【数量100個〜】単価 ¥104
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 150V＜VDSS≤250V)　TK20A25D 【2SK2382の後継品】極性:N-ch 【絶対最大定格】ドレイン電流ID:20A 許容損失PD:45W ドレイン・ソース間電圧VDSS:250V 【電気的特性】入力容量 ... 【数量1個〜】単価 ¥231 【数量100個〜】単価 ¥208
	International Rectifier パワーMOSFET　IRFP4321PbF ●極性:N-ch ●ドレイン電流ID:78A ●許容損失PD:310W ●ドレイン・ソース間電圧VDSS:150V ●ドレイン・ソース間オン抵抗 (typ)RDS(ON):12mΩ ●パッケージ... 【数量1個〜】単価 ¥168 【数量100個〜】単価 ¥152
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 250V＜VDSS≤500V)　TK12A50D 【2SK2842の代替品】【絶対最大定格】ドレイン電流ID:12A 許容損失PD:45W ドレイン・ソース間電圧VDSS:500V 【電気的特性】入力容量 (Typ.)Ciss:13... 【数量1個〜】単価 ¥231 【数量100個〜】単価 ¥208
	東芝(TOSHIBA) シリコンN-チャネルMOSFET　2SK4019(Q) ○4V駆動 ○オン抵抗RDS(ON)=0.17Ω(標準) ○順方向伝達アドミタンス:\|Yfs\|=4.5S(標準) ○漏れ電流:IDSS=100μA(最大)(VDS=100V) 【絶対最大定格... 【数量1個〜】単価 ¥105	欠品中
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(N-ch 250V＜VDSS≤500V)　TK8A50D 【絶対最大定格】ドレイン電流ID:8A 許容損失PD:40W ドレイン・ソース間電圧VDSS:500V 【電気的特性】入力容量(Typ.)Ciss:800pF ゲート入力電荷(Typ.... 【数量1個〜】単価 ¥137 【数量100個〜】単価 ¥123
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 500V＜VDSS≤700V)　TK5A50D ○ドレイン電流ID:5A ○許容損失PD:35W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:500V ○入力容量 (Typ.)Ciss:490pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:11nC ○ドレイ... 【数量1個〜】単価 ¥105 【数量100個〜】単価 ¥95
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(N-ch 150V＜VDSS≤250V)　TK13A25D ○ドレイン電流ID:13A ○許容損失PD:35W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:250V ○入力容量 (Typ.)Ciss:1100pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:25nC ○ド... 【数量1個〜】単価 ¥147 【数量100個〜】単価 ¥133
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(N-ch 700V＜VDSS)　2SK3700 ○ドレイン電流ID:5A ○許容損失PD:150W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V ○入力容量 (Typ.)Ciss:1150pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:28nC ○ド... 【数量1個〜】単価 ¥252 【数量100個〜】単価 ¥227
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(N-ch 700V＜VDSS)　2SK3799 ○ドレイン電流ID:8A ○許容損失PD:50W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V ○入力容量 (Typ.)Ciss:2200pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:60nC ○ドレ... 【数量1個〜】単価 ¥252 【数量100個〜】単価 ¥227
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V＜VDSS≤60V)　TK30A06N1 【2SK2312の代替品】ドレイン電流ID:43A 許容損失PD:25W ドレイン・ソース間電圧VDSS:60V ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:16nC ドレイン・ソース間オン抵抗 (... 【数量1個〜】単価 ¥105 【数量100個〜】単価 ¥95
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 250V＜VDSS≤500V)　TK7A45DA ○ドレイン電流ID:6.5A ○許容損失PD:35W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:450V ○入力容量 (Typ.)Ciss:540pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:11nC ○ド... 【数量1個〜】単価 ¥111 【数量100個〜】単価 ¥100
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 500V＜VDSS≤700V)　TK3A60DA ○ドレイン電流ID:2.5A ○許容損失PD:30W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:600V ○入力容量 (Typ.)Ciss:380pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:9nC ○ドレ... 【数量1個〜】単価 ¥74 【数量100個〜】単価 ¥67
	International Rectifier MOSFET　IRLU3410PBF ■特長低RDS(on) 動的dv/dt定格高速スイッチング動作温度: 175 °C ロジックレベル ■仕様チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:17 A 最大ドレイン-... 【数量1個〜】単価 ¥210 【数量100個〜】単価 ¥189
	Infineon Technologies MOSFET　IRLB3034PBF ■仕様パッケージ/ケース:TO-220-3 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:40 V Id - 連続ドレイン... 【数量1個〜】単価 ¥500
	東芝(TOSHIBA) MOSFET　TK16J60W5 MOSFET TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS ■用途スイッチングレギュレータ用 ■特長 (1) 逆回復時間が早い: trr = 100 n... 【数量1個〜】単価 ¥473
	ST Micro MOSFET　STP7NK80Z ■仕様パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1 Channel Vds:800 V Id:5.2 A Rds:1.8 Ohms Vgs :-30V... 【数量1個〜】単価 ¥399
	ST Micro MOSFET　STW10NK60Z ■仕様パッケージ:TO-247-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:600V Id:10A Rds On:750mOhms Vgs:-30V,+3... 【数量1個〜】単価 ¥473
	ST Micro MOSFET　STP10NK80Z ■仕様パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:800V Id:9A Rds On:900mOhms Vgs:-30V,+3... 【数量1個〜】単価 ¥420