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カテゴリー: N-channel

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商品画像	メーカー名▼ 商品名▼ / 型番▼ / 通販価格(税込)	詳細
	ST Micro MOSFET　STW10NK60Z ■仕様パッケージ:TO-247-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:600V Id:10A Rds On:750mOhms Vgs:-30V,+3... 【数量1個〜】単価 ¥473
	ST Micro MOSFET　STP10NK80Z ■仕様パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:800V Id:9A Rds On:900mOhms Vgs:-30V,+3... 【数量1個〜】単価 ¥420
	ST Micro MOSFET　STW8NK80Z ■仕様パッケージ/ケース:TO-247-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:800V Id:6.2A Rds On:1.5 Ohms ... 【数量1個〜】単価 ¥735
	ST Micro MOSFET　STW11NK90Z ■仕様パッケージ/ケース:TO-247-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:900V Id:9.2A Rds On:980 mOhms... 【数量1個〜】単価 ¥473
	ST Micro MOSFET　STP6N60M2 ■仕様パッケージ/ケース:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:600V Id:4.5A Rds On:1.06 Ohms... 【数量1個〜】単価 ¥315
	ST Micro MOSFET　STP14NK50Z ■仕様パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:500V Id:14A Rds On:380 mOhms Vgs:-30V,... 【数量1個〜】単価 ¥399
	ST Micro MOSFET　STF11NM50N ■仕様パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:500V Id:8.5A Rds On:470 mOhms Vgs:-25... 【数量1個〜】単価 ¥263
	ST Micro MOSFET　STP7NK40Z ■仕様パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:400V Id:5.4A Rds On:1 Ohms Vgs:-30V,+3... 【数量1個〜】単価 ¥210
	ST Micro MOSFET　STP6NK90Z ■仕様パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:900V Id :5.8A Rds On:2 Ohms Vgs:-30V,+... 【数量1個〜】単価 ¥495
	ST Micro MOSFET　STU3N62K3 ■仕様パッケージ:TO-251-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:620V Id:2.7 A Rds On:2.5 Ohms V... 【数量1個〜】単価 ¥189
	ST Micro MOSFET　STP13NK60Z ■仕様パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:600V Id:13A Rds On:550 mOhms Vg... 【数量1個〜】単価 ¥368
	ST Micro MOSFET　STP30NF10 ■仕様パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:100V Id:35A Rds On:38 mOhms Vgs... 【数量1個〜】単価 ¥189
	ST Micro MOSFET　STF7N60M2 ■仕様パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1 Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:600V Id - 連続ドレイン... 【数量1個〜】単価 ¥263
	ST Micro MOSFET　STP20NF20 ■仕様パッケージ:TO-220-3 パッケージ/ケース:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電... 【数量1個〜】単価 ¥315
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET　TK1K2A60F 極性:Nch ドレイン-ソース間電圧VDSS:600V ドレイン電流ID:6A 許容損失PD:35W ゲート入力電荷量Qg(nC)(typ.):21 ドレイン-ソース間オン抵抗RDS... 【数量1個〜】単価 ¥147 【数量100個〜】単価 ¥132
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET　TK34E10N1 ■仕様ドレイン・ソース間電圧:100V ゲート・ソース間電圧:±20V ドレイン電流(DC):75A(Tc = 25℃) ドレイン電流(DC):34A(: Rth(ch-a) = 3.57℃/W... 【数量1個〜】単価 ¥137
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET　TK100E08N1 ■仕様ドレイン・ソース間電圧:80V ゲート・ソース間電圧:±20V ドレイン電流 (DC):214A(シリコン制限)(注1,2) ドレイン電流 (DC):100A(注1,3) ドレイン電流 ... 【数量1個〜】単価 ¥315
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET　TK65A10N1 ■仕様ドレイン・ソース間電圧:100V ゲート・ソース間電圧:±20V ドレイン電流 (DC):148A(シリコン制限)(注1,2) ドレイン電流 (DC):65A(注1) ドレイン電流 (パ... 【数量1個〜】単価 ¥210
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET　TK58A06N1 ■仕様ドレイン・ソース間電圧:60V ゲート・ソース間電圧:±20V ドレイン電流 (DC):105A(シリコン制限)(注1,2) ドレイン電流 (DC):58A(Tc = 25℃)(注1) ... 【数量1個〜】単価 ¥210
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET　TK30J25D ■仕様ドレイン・ソース間電圧:250V ゲート・ソース間電圧:±20V ドレイン電流 (DC):30A(注1) ドレイン電流 (パルス):120A(注1) 許容損失:260W(Tc = 25℃... 【数量1個〜】単価 ¥320
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET　TK13E25D ■仕様ドレイン・ソース間電圧:250V ゲート・ソース間電圧:±20V ドレイン電流 (DC):13A(注1) ドレイン電流 (パルス):52A(注1) 許容損失:102W(Tc = 25℃)... 【数量1個〜】単価 ¥210
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET　TK62J60W ■仕様ドレイン・ソース間電圧:600V ゲート・ソース間電圧:±30V ドレイン電流 (DC):61.8A(注1) ドレイン電流 (パルス):247A(注1) 許容損失:400W(Tc = 2... 【数量1個〜】単価 ¥1470
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET　TK40A06N1 ■仕様ドレイン・ソース間電圧:60V ゲート・ソース間電圧:±20V ドレイン電流 (DC):60A(シリコン制限)(注1,注2) ドレイン電流 (DC):40A(Tc = 25℃)(注1) ... 【数量1個〜】単価 ¥84
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET　TK12A45D ■仕様ドレイン・ソース間電圧:450V ゲート・ソース間電圧:±30V ドレイン電流 (DC):12A(注1) ドレイン電流 (パルス):48A(注1) 許容損失:45W(Tc = 25℃) ... 【数量1個〜】単価 ¥147
	ON Semiconductor N-Channel J-FET　J211-D74Z ■仕様パッケージ:TO-92 トランジスタ極性:N-Channel ドレイン・ゲート間電圧(VDG):25V ゲート・ソース間電圧(VGS):-25V 順方向ゲート電流(IGF):10mA ... 【数量1個〜】単価 ¥63 【数量100個〜】単価 ¥57
	J-FET Nチャネル接合形　2SK2880-T112-D ■仕様・ゲート・ドレイン間電圧VGDO:VGDO-50V ・ゲート電流IG:10mA ・ドレイン電流IDSS:0.3mA(最小)～12mA(最大) ・全許容損失(Ta=25℃)PT:450mW ... 【数量1個〜】単価 ¥63 【数量1組〜】100個入1組 ¥5670
	J-FET Nチャネル接合形　2SK2881-T112-D ■仕様・ゲート・ドレイン間電圧VGDO:VGDO-50V ・ゲート電流IG:10mA ・ドレイン電流IDSS:1mA(最小)～12mA(最大) ・全許容損失(Ta=25℃)PT:450mW ・... 【数量1個〜】単価 ¥63 【数量1組〜】100個入1組 ¥5670
	MOSFET Nチャネル　INKA114AS1-T112 ■仕様・ゲート・ソース間電圧VGSS:±20V ・ドレイン電流(DC)ID:0.5A ・IDP:ドレイン電流(パルス) 1A ・全許容損失:800mW ・ドレイン・ソース間オン抵抗:1.1Ω～... 【数量1個〜】単価 ¥63 【数量1組〜】100個入1組 ¥5670
	MOSFET Nチャネル　INK021ABS1-T112 ■仕様・ドレイン・ソース間電圧VDSS:100V ・ゲート・ソース間電圧VGSS:±20V ・ドレイン電流(DC)ID:1.4A ・IDP:ドレイン電流(パルス) 2A、8A ・全許容損失:6... 【数量1個〜】単価 ¥72 【数量1組〜】100個入1組 ¥7560
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 500V＜VDSS≤700V)　TK4A60DA 2SK2750の代替品極性:Nch ドレイン-ソース間電圧VDSS:600V ドレイン電流ID:3.5A 許容損失PD:35W ゲート入力電荷量Qg(nC)(typ.):1... 【数量1個〜】単価 ¥153 【数量100個〜】単価 ¥138