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商品画像	メーカー名商品名▼ / 型番▼ / 通販価格(税込)	詳細
	J-FET Nチャネル接合形　2SK2880-T112-D ■仕様・ゲート・ドレイン間電圧VGDO:VGDO-50V ・ゲート電流IG:10mA ・ドレイン電流IDSS:0.3mA(最小)～12mA(最大) ・全許容損失(Ta=25℃)PT:450mW ... 【数量1個〜】単価 ¥63 【数量1組〜】100個入1組 ¥5670
	J-FET Nチャネル接合形　2SK2881-T112-D ■仕様・ゲート・ドレイン間電圧VGDO:VGDO-50V ・ゲート電流IG:10mA ・ドレイン電流IDSS:1mA(最小)～12mA(最大) ・全許容損失(Ta=25℃)PT:450mW ・... 【数量1個〜】単価 ¥63 【数量1組〜】100個入1組 ¥5670
	MOSFET Nチャネル　INKA114AS1-T112 ■仕様・ゲート・ソース間電圧VGSS:±20V ・ドレイン電流(DC)ID:0.5A ・IDP:ドレイン電流(パルス) 1A ・全許容損失:800mW ・ドレイン・ソース間オン抵抗:1.1Ω～... 【数量1個〜】単価 ¥63 【数量1組〜】100個入1組 ¥5670
	MOSFET Nチャネル　INK021ABS1-T112 ■仕様・ドレイン・ソース間電圧VDSS:100V ・ゲート・ソース間電圧VGSS:±20V ・ドレイン電流(DC)ID:1.4A ・IDP:ドレイン電流(パルス) 2A、8A ・全許容損失:6... 【数量1個〜】単価 ¥72 【数量1組〜】100個入1組 ¥7560
	Infineon Technologies MOSFET　IRLB3034PBF ■仕様パッケージ/ケース:TO-220-3 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:40 V Id - 連続ドレイン... 【数量1個〜】単価 ¥263	欠品中
	International Rectifier MOSFET 30V 200A　IRL3713PBF ・N-ch ・電流Id(Max):260A ・ドレインソース電圧Vds:30V ・オン抵抗:0.003Ω ・Rds(on)テスト電圧Vgs:10V ・パルス電流Idm:1040A ・パッケージ... 【数量1個〜】単価 ¥473 【数量100個〜】単価 ¥426
	International Rectifier パワーMOSFET　IRFP4321PbF ●極性:N-ch ●ドレイン電流ID:78A ●許容損失PD:310W ●ドレイン・ソース間電圧VDSS:150V ●ドレイン・ソース間オン抵抗 (typ)RDS(ON):12mΩ ●パッケージ... 【数量1個〜】単価 ¥168 【数量100個〜】単価 ¥152
	International Rectifier MOSFET　IRLU3410PBF ■特長低RDS(on) 動的dv/dt定格高速スイッチング動作温度: 175 °C ロジックレベル ■仕様チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:17 A 最大ドレイン-... 【数量1個〜】単価 ¥210 【数量100個〜】単価 ¥189
	NEC FETアレイ　UPA1523BH 【数量1個〜】単価 ¥357
	ON Semiconductor N-Channel J-FET　J113 ■仕様パッケージ:TO-92 トランジスタ極性:N-Channel ドレイン・ゲート間電圧(VDG):35V ゲート・ソース間電圧(VGS):-35V 順方向ゲート電流(IGF):50mA ... 【数量1個〜】単価 ¥63 【数量100個〜】単価 ¥57
	ON Semiconductor N-Channel J-FET　J112 ■仕様パッケージ:TO-92 トランジスタ極性:N-Channel ゲートドレイン・ソース間電流(IDss):5mA ソース間電圧(VGS):-35V 順方向ゲート電流(IGF):50mA ... 【数量1個〜】単価 ¥63 【数量100個〜】単価 ¥57
	ON Semiconductor N-Channel J-FET　J111 ■仕様パッケージ:TO-92 トランジスタ極性:N-Channel ドレイン・ゲート間電圧(VDG):35V ゲートドレイン・ソース間電流(IDss):20mA ソース間電圧(VGS):-3... 【数量1個〜】単価 ¥63 【数量100個〜】単価 ¥57
	ON Semiconductor N-Channel J-FET　BF256B ■仕様パッケージ:TO-92 トランジスタ極性:N-Channel ソース間電圧(VGS):-30V 順方向ゲート電流(IGF):10mA 許容損失:350mW 【数量1個〜】単価 ¥53
	ON Semiconductor N-Channel J-FET　J211-D74Z ■仕様パッケージ:TO-92 トランジスタ極性:N-Channel ドレイン・ゲート間電圧(VDG):25V ゲート・ソース間電圧(VGS):-25V 順方向ゲート電流(IGF):10mA ... 【数量1個〜】単価 ¥63 【数量100個〜】単価 ¥57
	ON Semiconductor / Fairchild N-CH MOSFET　FDS8449 極性:N-channel VDSS:40V 電流ID:7.6A PD:2.5W パッケージ:SOIC-8 【数量1個〜】単価 ¥116 【数量100個〜】単価 ¥104
	ROHM (ローム) N-channel SiC MOSFET　SCH2080KE 【ダイオードあり版】 SiC(シリコンカーバイド)によるプレーナタイプMOSFETです。高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングで、機器の小型・省エネ化に貢献します。【特性】 VDS [... 【数量1個〜】単価 ¥7797
	ST Micro MOSFET　STP7NK80Z ■仕様パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1 Channel Vds:800 V Id:5.2 A Rds:1.8 Ohms Vgs :-30V... 【数量1個〜】単価 ¥399
	ST Micro MOSFET　STW10NK60Z ■仕様パッケージ:TO-247-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:600V Id:10A Rds On:750mOhms Vgs:-30V,+3... 【数量1個〜】単価 ¥473
	ST Micro MOSFET　STP10NK80Z ■仕様パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:800V Id:9A Rds On:900mOhms Vgs:-30V,+3... 【数量1個〜】単価 ¥420
	ST Micro MOSFET　STW8NK80Z ■仕様パッケージ/ケース:TO-247-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:800V Id:6.2A Rds On:1.5 Ohms ... 【数量1個〜】単価 ¥735
	ST Micro MOSFET　STW11NK90Z ■仕様パッケージ/ケース:TO-247-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:900V Id:9.2A Rds On:980 mOhms... 【数量1個〜】単価 ¥473
	ST Micro MOSFET　STP6N60M2 ■仕様パッケージ/ケース:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:600V Id:4.5A Rds On:1.06 Ohms... 【数量1個〜】単価 ¥315
	ST Micro MOSFET　STP14NK50Z ■仕様パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:500V Id:14A Rds On:380 mOhms Vgs:-30V,... 【数量1個〜】単価 ¥399
	ST Micro MOSFET　STF11NM50N ■仕様パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:500V Id:8.5A Rds On:470 mOhms Vgs:-25... 【数量1個〜】単価 ¥263
	ST Micro MOSFET　STP7NK40Z ■仕様パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:400V Id:5.4A Rds On:1 Ohms Vgs:-30V,+3... 【数量1個〜】単価 ¥210
	ST Micro MOSFET　STP6NK90Z ■仕様パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:900V Id :5.8A Rds On:2 Ohms Vgs:-30V,+... 【数量1個〜】単価 ¥495
	ST Micro MOSFET　STU3N62K3 ■仕様パッケージ:TO-251-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:620V Id:2.7 A Rds On:2.5 Ohms V... 【数量1個〜】単価 ¥189
	ST Micro MOSFET　STP13NK60Z ■仕様パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:600V Id:13A Rds On:550 mOhms Vg... 【数量1個〜】単価 ¥368
	ST Micro MOSFET　STP30NF10 ■仕様パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:100V Id:35A Rds On:38 mOhms Vgs... 【数量1個〜】単価 ¥189
	ST Micro MOSFET　STF7N60M2 ■仕様パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1 Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:600V Id - 連続ドレイン... 【数量1個〜】単価 ¥263
	ST Micro MOSFET　STP20NF20 ■仕様パッケージ:TO-220-3 パッケージ/ケース:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電... 【数量1個〜】単価 ¥315
	ノンブランド FET　2SK30A-GR 【数量1個〜】単価 ¥90 【数量1組〜】100個入1袋 ¥8033
	東芝(TOSHIBA) FET　2SJ334 ■仕様チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:P-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:60 V Id - 連続ドレイン電流:30 A Rds On - 抵抗... 【数量1個〜】単価 ¥263
	東芝(TOSHIBA) FET　2SK3767 TO-220 ■仕様レイン-ソース間電圧(VDSS):600V ドレイン電流(ID):2A 極性:N-ch 【数量1個〜】単価 ¥263
	東芝(TOSHIBA) FET　2SJ239(TE16L) チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:P-Channel 構成:Single 【数量1個〜】単価 ¥137 【数量1組〜】5個1組 ¥662
	東芝(TOSHIBA) FET　2SJ402(TE24L) チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:P-Channel 構成:Single 【数量1個〜】単価 ¥315 【数量1組〜】5個1組 ¥1470
	東芝(TOSHIBA) FET　2SJ401(TE24L) チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:P-Channel 構成:Single 【数量1個〜】単価 ¥315 【数量1組〜】5個1組 ¥1470
	東芝(TOSHIBA) FET　2SJ668(TE16L、NQ) ■仕様チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:P-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:60 V Id - 連続ドレイン電流:5 A Rds On - 抵抗に... 【数量1個〜】単価 ¥346 【数量1組〜】5個1組 ¥1730
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 500V＜VDSS≤700V)　TK8A60DA(Q) 極性:Nch ドレイン-ソース間電圧VDSS:600V ドレイン電流ID:7.5A 許容損失PD:45W ゲート入力電荷量Qg(nC)(typ.):20 ドレイン-ソース間オン... 【数量1個〜】単価 ¥168 【数量100個〜】単価 ¥152
	東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(P-ch 1素子)　TJ11A10M3 ○ドレイン電流ID:-11A ○許容損失PD:24W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:-100V ○入力容量 (Typ.)Ciss:3200pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:69nC ... 【数量1個〜】単価 ¥116 【数量100個〜】単価 ¥104