商品一覧
カテゴリー: マイコン・半導体・LED
| 商品画像 | メーカー名▼ 商品名 / 型番▼ / 通販価格(税込) |
詳細 |
|---|---|---|
|
八ヶ岳クラブ ハイパワーLED用 定電流電源ユニット 3w 700mA
700mA/3W LED用
【数量1個〜】単価 ¥1607
|
|
|
八ヶ岳クラブ ハイパワー残光ユニット
LEDライトが徐々に消える残光ユニット 電源とLEDの間に入れるだけのかんたん接続 逆流防止用ダイオード内蔵
最大電流:1000mA 残光時間:60mAにおいて約5秒(LEDにより大きく変わります)
【数量1個〜】単価 ¥683
|
|
|
八ヶ岳クラブ ハイパワー赤色レーザーモジュール
外形寸法:約Φ12×35mm
電源電圧:3.0~5.0V
波長:650nm
出力:5mW
【数量1個〜】単価 ¥2980
|
|
|
MULTICOMP バイポーラ トランジスタ BC108C
コレクタ・エミッタ間電圧:25V
コレクタ電流IC:0.2A
消費電力PD:600mW
コレクタ-エミッタ間飽和電圧(Max)VCE(sat):0.25V
直流電流増幅率hFE:420~800
...
【数量1個〜】単価 ¥231
【数量100個〜】単価 ¥208 |
|
|
ON Semiconductor / Fairchild バイポーラトランジスタ BC238A
バイポーラトランジスタ
BJT NPN 25V 100mA HFE/22
■詳細
パッケージ/ケース:TO-92-3
トランジスタ極性:NPN
構成:Single
コレクタ - エミ...
【数量1個〜】単価 ¥53
【数量1組〜】10個1組 ¥368 【数量1組〜】50個入1組 ¥1575 【数量1組〜】100個入1組 ¥2835 |
|
|
バイポーラトランジスタ BC107B
■仕様
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:45 V
コレクタ - ベース電圧 VCBO:50 V
エミッタ - ベース電圧 VEBO:6 V
最大 DC コレクタ電流:0.2 A
P...
【数量1個〜】単価 ¥137
【数量100個〜】単価 ¥123 |
|
|
ON Semiconductor / Fairchild バイポーラトランジスタ BC548CTA
■仕様
パッケージ/ケース:TO-92-3 Kinked Lead
トランジスタ極性:NPN
構成:Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:30 V
コレクタ - ベ...
【数量1個〜】単価 ¥53
【数量1組〜】5本1組 ¥210 【数量1組〜】10本1組 ¥368 【数量1000個〜】単価 ¥29 |
|
|
ON Semiconductor / Fairchild バイポーラトランジスタ BC550CBU
■仕様
パッケージ/ケース:TO-92-3
トランジスタ極性:NPN
構成:Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:45 V
コレクタ - ベース電圧 VCBO:50...
【数量1個〜】単価 ¥53
【数量1組〜】100本入1組 ¥4725 |
|
|
MULTICOMP バイポーラトランジスタ BC109C
■仕様
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:25 V
コレクタ - ベース電圧 VCBO:30 V
エミッタ - ベース電圧 VEBO:5 V
最低動作温度:- 65 C
最高動...
【数量1個〜】単価 ¥137
【数量100個〜】単価 ¥123 |
|
|
ON Semiconductor バイポーラトランジスタ PN2222ATA
■仕様
トランジスタ極性:NPN
コレクタ-エミッタ電:30V
コレクタ-ベース電圧:60V
エミッタ-ベース電圧:5V
コレクタ電流:600mA
【数量10個〜】単価 ¥32
【数量100個〜】単価 ¥29 |
|
|
ON Semiconductor / Fairchild バイポーラトランジスタ BC557ATA
■仕様
パッケージ/ケース:TO-92-3 Kinked Lead
トランジスタ極性:PNP
構成:Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:- 45 V
コレクタ -...
【数量1個〜】単価 ¥53
【数量1組〜】5本1組 ¥210 【数量1組〜】10本1組 ¥385 【数量1000個〜】単価 ¥29 |
|
|
ON Semiconductor バイポーラパワートランジスタ NJW3281G
■仕様
・NPN
・コレクタ-エミッタVCEO:250V
・コレクタ-ベースVCBO:250V
・エミッタ-ベースVEBO:5V
・PD:200W
・IC:15A
・パッケージ:TO-3P
...
【数量1個〜】単価 ¥840
|
|
|
ON Semiconductor バイポーラパワートランジスタ NJW1302G
■仕様
・PNP
・コレクタ-エミッタVCEO:250V
・コレクタ-ベースVCBO:250V
・エミッタ-ベースVEBO:5V
・PD:200W
・IC:15A
・パッケージ:TO-3P
...
【数量1個〜】単価 ¥840
|
|
|
Texas Instruments ハイレゾリューションオーディオDAC PCM5102APW
32-bitオーディオ・ステレオDAC
2VRMS DirectPath
111/106/100dB オーディオ・ステレオ DAC
1.8V I/O 付
・サンプリング周波数:8kHz~3...
【数量1個〜】単価 ¥1323
|
|
|
エーモン はがせるシリコン接着剤 1690
◆ガッチリ付くのにキレイにはがせる!
◆素材を選ばずカンタン取り付け!
【仕様】
・硬化後使用温度範囲:-10~85℃
・透明タイプ
・内容量:20g
【材質】
《内容物》変成シリコ...
【数量1個〜】単価 ¥1101
|
|
|
エーモン パックプライマー 3940
◆塗る下地
◆両面テープの接着効果アップ
◆両面テープがつきにくい素材に塗るだけでつきやすくなる接着促進剤
◆PPなど難接着性プラスチックへの接着効果が上がる
【仕様】
・サイズ:約60×1...
【数量1個〜】単価 ¥390
|
|
|
エーモン バッテリーターミナル 8856
◆JIS規格(D5301)に基づく設計でバッテリー端子にフィット
◆錆びない特殊メッキ仕上げ
◆六角ボルトタイプ
【仕様】
・適合バッテリーサイズ:C/D/E/F/G/H
・六角ボルトサイズ...
【数量1個〜】単価 ¥1030
|
|
|
エーモン バッテリーターミナル 8851
◆JIS規格(D5301)に基づく設計でバッテリー端子にフィット
◆錆びない特殊メッキ仕上げ
◆挟み込みタイプ
【仕様】
・適合バッテリーサイズ:B
・材質
本体/亜鉛合金(特殊メッキ仕...
【数量1個〜】単価 ¥730
|
|
|
エーモン バッテリーターミナル 8855
◆JIS規格(D5301)に基づく設計でバッテリー端子にフィット
◆錆びない特殊メッキ仕上げ
◆六角ボルトタイプ
【仕様】
・適合バッテリーサイズ:B
・六角ボルトサイズ:M8×15mm
...
【数量1個〜】単価 ¥910
|
|
|
エーモン バッテリーターミナル 8852
◆JIS規格(D5301)に基づく設計でバッテリー端子にフィット
◆錆びない特殊メッキ仕上げ
◆挟み込みタイプ
【仕様】
・適合バッテリーサイズ:C/D/E/F/G/H
・材質
本体/亜...
【数量1個〜】単価 ¥850
|
|
|
International Rectifier パワーMOSFET IRFP4321PbF
●極性:N-ch
●ドレイン電流ID:78A
●許容損失PD:310W
●ドレイン・ソース間電圧VDSS:150V
●ドレイン・ソース間オン抵抗 (typ)RDS(ON):12mΩ
●パッケージ...
【数量1個〜】単価 ¥168
【数量100個〜】単価 ¥152 |
|
|
東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK1K2A60F
極性:Nch
ドレイン-ソース間電圧VDSS:600V
ドレイン電流ID:6A
許容損失PD:35W
ゲート入力電荷量Qg(nC)(typ.):21
ドレイン-ソース間オン抵抗RDS...
【数量1個〜】単価 ¥147
【数量100個〜】単価 ¥132 |
|
|
東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK34E10N1
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:100V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流(DC):75A(Tc = 25℃)
ドレイン電流(DC):34A(: Rth(ch-a) = 3.57℃/W...
【数量1個〜】単価 ¥137
|
|
|
東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK100E08N1
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:80V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):214A(シリコン制限)(注1,2)
ドレイン電流 (DC):100A(注1,3)
ドレイン電流 ...
【数量1個〜】単価 ¥315
|
|
|
東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK65A10N1
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:100V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):148A(シリコン制限)(注1,2)
ドレイン電流 (DC):65A(注1)
ドレイン電流 (パ...
【数量1個〜】単価 ¥210
|
|
|
東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK58A06N1
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:60V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):105A(シリコン制限)(注1,2)
ドレイン電流 (DC):58A(Tc = 25℃)(注1)
...
【数量1個〜】単価 ¥210
|
|
|
東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK30J25D
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:250V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):30A(注1)
ドレイン電流 (パルス):120A(注1)
許容損失:260W(Tc = 25℃...
【数量1個〜】単価 ¥320
|
|
|
東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK13E25D
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:250V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):13A(注1)
ドレイン電流 (パルス):52A(注1)
許容損失:102W(Tc = 25℃)...
【数量1個〜】単価 ¥210
|
|
|
東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK62J60W
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:600V
ゲート・ソース間電圧:±30V
ドレイン電流 (DC):61.8A(注1)
ドレイン電流 (パルス):247A(注1)
許容損失:400W(Tc = 2...
【数量1個〜】単価 ¥1470
|
|
|
東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK40A06N1
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:60V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):60A(シリコン制限)(注1,注2)
ドレイン電流 (DC):40A(Tc = 25℃)(注1)
...
【数量1個〜】単価 ¥84
|
|
|
東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK12A45D
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:450V
ゲート・ソース間電圧:±30V
ドレイン電流 (DC):12A(注1)
ドレイン電流 (パルス):48A(注1)
許容損失:45W(Tc = 25℃)
...
【数量1個〜】単価 ¥147
|
|
|
東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK70J20D
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:200V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):70A
許容損失:410W(Tc = 25℃)
東芝パッケージ名:TO-3P(N)
用途:スイ...
【数量1個〜】単価 ¥550
|
|
|
東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK25S06N1L
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:60V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):25A
許容損失:57W
東芝パッケージ名:DPAK+
用途:車載 / 車載 / スイッチングレ...
【数量1個〜】単価 ¥100
【数量100個〜】単価 ¥90 |
|
|
東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 150V<VDSS≤250V) TK8A25DA
【2SK2381,2SK2417の代替品】
【絶対最大定格】
ドレイン電流ID:7.5A
許容損失PD:30W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:250V
【電気的特性】
入力容...
【数量1個〜】単価 ¥116
【数量100個〜】単価 ¥104 |
|
|
東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 150V<VDSS≤250V) TK20A25D
【2SK2382の後継品】
極性:N-ch
【絶対最大定格】
ドレイン電流ID:20A
許容損失PD:45W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:250V
【電気的特性】
入力容量 ...
【数量1個〜】単価 ¥231
【数量100個〜】単価 ¥208 |
|
|
東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V<VDSS≤60V) TK30A06N1
【2SK2312の代替品】
ドレイン電流ID:43A
許容損失PD:25W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:60V
ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:16nC
ドレイン・ソース間オン抵抗 (...
【数量1個〜】単価 ¥105
【数量100個〜】単価 ¥95 |
|
|
東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V) TK22A10N1
ドレイン電流ID:52A
許容損失PD:30W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:100V
入力容量 (Typ.)Ciss:1800pF
ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:28nC
ドレイン・ソー...
【数量1個〜】単価 ¥126
【数量100個〜】単価 ¥114 |
|
|
東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 250V<VDSS≤500V) TK12A50D
【2SK2842の代替品】
【絶対最大定格】
ドレイン電流ID:12A
許容損失PD:45W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:500V
【電気的特性】
入力容量 (Typ.)Ciss:13...
【数量1個〜】単価 ¥231
【数量100個〜】単価 ¥208 |
|
|
東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 250V<VDSS≤500V) TK7A45DA
○ドレイン電流ID:6.5A
○許容損失PD:35W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:450V
○入力容量 (Typ.)Ciss:540pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:11nC
○ド...
【数量1個〜】単価 ¥111
【数量100個〜】単価 ¥100 |
|
|
東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) TK8A60DA(Q)
極性:Nch
ドレイン-ソース間電圧VDSS:600V
ドレイン電流ID:7.5A
許容損失PD:45W
ゲート入力電荷量Qg(nC)(typ.):20
ドレイン-ソース間オン...
【数量1個〜】単価 ¥168
【数量100個〜】単価 ¥152 |
































