商品一覧
カテゴリー: FET
| 商品画像 | メーカー名▼ 商品名 / 型番▼ / 通販価格(税込) |
詳細 |
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ST Micro MOSFET STP13NK60Z
■仕様
パッケージ:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:600V
Id:13A
Rds On:550 mOhms
Vg...
【数量1個〜】単価 ¥368
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ST Micro MOSFET STP30NF10
■仕様
パッケージ:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:100V
Id:35A
Rds On:38 mOhms
Vgs...
【数量1個〜】単価 ¥189
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ST Micro MOSFET STF7N60M2
■仕様
パッケージ:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:600V
Id - 連続ドレイン...
【数量1個〜】単価 ¥263
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ST Micro MOSFET STP20NF20
■仕様
パッケージ:TO-220-3
パッケージ/ケース:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電...
【数量1個〜】単価 ¥315
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International Rectifier MOSFET 30V 200A IRL3713PBF
・N-ch
・電流Id(Max):260A
・ドレインソース電圧Vds:30V
・オン抵抗:0.003Ω
・Rds(on)テスト電圧Vgs:10V
・パルス電流Idm:1040A
・パッケージ...
【数量1個〜】単価 ¥473
【数量100個〜】単価 ¥426 |
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MOSFET Nチャネル INKA114AS1-T112
■仕様
・ゲート・ソース間電圧VGSS:±20V
・ドレイン電流(DC)ID:0.5A
・IDP:ドレイン電流(パルス) 1A
・全許容損失:800mW
・ドレイン・ソース間オン抵抗:1.1Ω～...
【数量1個〜】単価 ¥63
【数量1組〜】100個入1組 ¥5670 |
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MOSFET Nチャネル INK021ABS1-T112
■仕様
・ドレイン・ソース間電圧VDSS:100V
・ゲート・ソース間電圧VGSS:±20V
・ドレイン電流(DC)ID:1.4A
・IDP:ドレイン電流(パルス) 2A、8A
・全許容損失:6...
【数量1個〜】単価 ¥72
【数量1組〜】100個入1組 ¥7560 |
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ON Semiconductor / Fairchild N-CH MOSFET FDS8449
極性:N-channel
VDSS:40V
電流ID:7.6A
PD:2.5W
パッケージ:SOIC-8
【数量1個〜】単価 ¥116
【数量100個〜】単価 ¥104 |
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ON Semiconductor N-Channel J-FET J113
■仕様
パッケージ:TO-92
トランジスタ極性:N-Channel
ドレイン・ゲート間電圧(VDG):35V
ゲート・ソース間電圧(VGS):-35V
順方向ゲート電流(IGF):50mA
...
【数量1個〜】単価 ¥63
【数量100個〜】単価 ¥57 |
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ON Semiconductor N-Channel J-FET J112
■仕様
パッケージ:TO-92
トランジスタ極性:N-Channel
ゲートドレイン・ソース間電流(IDss):5mA
ソース間電圧(VGS):-35V
順方向ゲート電流(IGF):50mA
...
【数量1個〜】単価 ¥63
【数量100個〜】単価 ¥57 |
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ON Semiconductor N-Channel J-FET J111
■仕様
パッケージ:TO-92
トランジスタ極性:N-Channel
ドレイン・ゲート間電圧(VDG):35V
ゲートドレイン・ソース間電流(IDss):20mA
ソース間電圧(VGS):-3...
【数量1個〜】単価 ¥63
【数量100個〜】単価 ¥57 |
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ON Semiconductor N-Channel J-FET BF256B
■仕様
パッケージ:TO-92
トランジスタ極性:N-Channel
ソース間電圧(VGS):-30V
順方向ゲート電流(IGF):10mA
許容損失:350mW
【数量1個〜】単価 ¥53
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ON Semiconductor N-Channel J-FET J211-D74Z
■仕様
パッケージ:TO-92
トランジスタ極性:N-Channel
ドレイン・ゲート間電圧(VDG):25V
ゲート・ソース間電圧(VGS):-25V
順方向ゲート電流(IGF):10mA
...
【数量1個〜】単価 ¥63
【数量100個〜】単価 ¥57 |
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ROHM (ローム) N-channel SiC MOSFET SCH2080KE
【ダイオードあり版】
SiC(シリコンカーバイド)によるプレーナタイプMOSFETです。
高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングで、機器の小型・省エネ化に貢献します。
【特性】
VDS [...
【数量1個〜】単価 ¥7797
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東芝(TOSHIBA) シリコンN-チャネルMOSFET 2SK4019(Q)
○4V駆動
○オン抵抗RDS(ON)=0.17Ω(標準)
○順方向伝達アドミタンス:|Yfs|=4.5S(標準)
○漏れ電流:IDSS=100μA(最大)(VDS=100V)
【絶対最大定格...
【数量1個〜】単価 ¥105
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International Rectifier パワーMOSFET IRFP4321PbF
●極性:N-ch
●ドレイン電流ID:78A
●許容損失PD:310W
●ドレイン・ソース間電圧VDSS:150V
●ドレイン・ソース間オン抵抗 (typ)RDS(ON):12mΩ
●パッケージ...
【数量1個〜】単価 ¥168
【数量100個〜】単価 ¥152 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK1K2A60F
極性:Nch
ドレイン-ソース間電圧VDSS:600V
ドレイン電流ID:6A
許容損失PD:35W
ゲート入力電荷量Qg(nC)(typ.):21
ドレイン-ソース間オン抵抗RDS...
【数量1個〜】単価 ¥147
【数量100個〜】単価 ¥132 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK34E10N1
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:100V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流(DC):75A(Tc = 25℃)
ドレイン電流(DC):34A(: Rth(ch-a) = 3.57℃/W...
【数量1個〜】単価 ¥137
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK100E08N1
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:80V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):214A(シリコン制限)(注1,2)
ドレイン電流 (DC):100A(注1,3)
ドレイン電流 ...
【数量1個〜】単価 ¥315
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK65A10N1
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:100V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):148A(シリコン制限)(注1,2)
ドレイン電流 (DC):65A(注1)
ドレイン電流 (パ...
【数量1個〜】単価 ¥210
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK58A06N1
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:60V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):105A(シリコン制限)(注1,2)
ドレイン電流 (DC):58A(Tc = 25℃)(注1)
...
【数量1個〜】単価 ¥210
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK30J25D
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:250V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):30A(注1)
ドレイン電流 (パルス):120A(注1)
許容損失:260W(Tc = 25℃...
【数量1個〜】単価 ¥320
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK13E25D
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:250V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):13A(注1)
ドレイン電流 (パルス):52A(注1)
許容損失:102W(Tc = 25℃)...
【数量1個〜】単価 ¥210
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK62J60W
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:600V
ゲート・ソース間電圧:±30V
ドレイン電流 (DC):61.8A(注1)
ドレイン電流 (パルス):247A(注1)
許容損失:400W(Tc = 2...
【数量1個〜】単価 ¥1470
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK40A06N1
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:60V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):60A(シリコン制限)(注1,注2)
ドレイン電流 (DC):40A(Tc = 25℃)(注1)
...
【数量1個〜】単価 ¥84
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK12A45D
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:450V
ゲート・ソース間電圧:±30V
ドレイン電流 (DC):12A(注1)
ドレイン電流 (パルス):48A(注1)
許容損失:45W(Tc = 25℃)
...
【数量1個〜】単価 ¥147
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 150V＜VDSS≤250V) TK8A25DA
【2SK2381,2SK2417の代替品】
【絶対最大定格】
ドレイン電流ID:7.5A
許容損失PD:30W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:250V
【電気的特性】
入力容...
【数量1個〜】単価 ¥116
【数量100個〜】単価 ¥104 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 150V＜VDSS≤250V) TK20A25D
【2SK2382の後継品】
極性:N-ch
【絶対最大定格】
ドレイン電流ID:20A
許容損失PD:45W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:250V
【電気的特性】
入力容量 ...
【数量1個〜】単価 ¥231
【数量100個〜】単価 ¥208 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V＜VDSS≤60V) TK30A06N1
【2SK2312の代替品】
ドレイン電流ID:43A
許容損失PD:25W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:60V
ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:16nC
ドレイン・ソース間オン抵抗 (...
【数量1個〜】単価 ¥105
【数量100個〜】単価 ¥95 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V＜VDSS≤150V) TK22A10N1
ドレイン電流ID:52A
許容損失PD:30W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:100V
入力容量 (Typ.)Ciss:1800pF
ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:28nC
ドレイン・ソー...
【数量1個〜】単価 ¥126
【数量100個〜】単価 ¥114 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 250V＜VDSS≤500V) TK12A50D
【2SK2842の代替品】
【絶対最大定格】
ドレイン電流ID:12A
許容損失PD:45W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:500V
【電気的特性】
入力容量 (Typ.)Ciss:13...
【数量1個〜】単価 ¥231
【数量100個〜】単価 ¥208 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 250V＜VDSS≤500V) TK7A45DA
○ドレイン電流ID:6.5A
○許容損失PD:35W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:450V
○入力容量 (Typ.)Ciss:540pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:11nC
○ド...
【数量1個〜】単価 ¥111
【数量100個〜】単価 ¥100 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 500V＜VDSS≤700V) TK8A60DA(Q)
極性:Nch
ドレイン-ソース間電圧VDSS:600V
ドレイン電流ID:7.5A
許容損失PD:45W
ゲート入力電荷量Qg(nC)(typ.):20
ドレイン-ソース間オン...
【数量1個〜】単価 ¥168
【数量100個〜】単価 ¥152 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 500V＜VDSS≤700V) TK4A60DA
2SK2750の代替品
極性:Nch
ドレイン-ソース間電圧VDSS:600V
ドレイン電流ID:3.5A
許容損失PD:35W
ゲート入力電荷量Qg(nC)(typ.):1...
【数量1個〜】単価 ¥153
【数量100個〜】単価 ¥138 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 500V＜VDSS≤700V) TK5A50D
○ドレイン電流ID:5A
○許容損失PD:35W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:500V
○入力容量 (Typ.)Ciss:490pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:11nC
○ドレイ...
【数量1個〜】単価 ¥105
【数量100個〜】単価 ¥95 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 500V＜VDSS≤700V) TK3A60DA
○ドレイン電流ID:2.5A
○許容損失PD:30W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:600V
○入力容量 (Typ.)Ciss:380pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:9nC
○ドレ...
【数量1個〜】単価 ¥74
【数量100個〜】単価 ¥67 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 700V＜VDSS) 2SK3564
【2SK2700の代替品】
【絶対最大定格】
ドレイン電流ID:3A
許容損失PD:40W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V
【電気的特性】
入力容量 (Typ.)Ciss:7...
【数量1個〜】単価 ¥137
【数量100個〜】単価 ¥123 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 700V＜VDSS) 2SK3566
【絶対最大定格】
ドレイン電流ID:2.5A
許容損失PD:40W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V
【電気的特性】
入力容量 (Typ.)Ciss:470pF
ゲート入力電荷 (...
【数量1個〜】単価 ¥116
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(N-ch 150V＜VDSS≤250V) TK13A25D
○ドレイン電流ID:13A
○許容損失PD:35W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:250V
○入力容量 (Typ.)Ciss:1100pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:25nC
○ド...
【数量1個〜】単価 ¥147
【数量100個〜】単価 ¥133 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(N-ch 250V＜VDSS≤500V) TK8A50D
【絶対最大定格】
ドレイン電流ID:8A
許容損失PD:40W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:500V
【電気的特性】
入力容量(Typ.)Ciss:800pF
ゲート入力電荷(Typ....
【数量1個〜】単価 ¥137
【数量100個〜】単価 ¥123 |
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