ようこそ ゲスト さん

商品一覧

カテゴリー: FET

41件~80件(全83件)
1 | 2 | 3
写真+リスト
商品画像 メーカー名
商品名 / 型番 / 通販価格(税込)
詳細
J113 ON Semiconductor
N-Channel J-FET J113
■仕様 パッケージ:TO-92 トランジスタ極性:N-Channel ドレイン・ゲート間電圧(VDG):35V ゲート・ソース間電圧(VGS):-35V 順方向ゲート電流(IGF):50mA ...
【数量1個〜】単価 ¥63
【数量100個〜】単価 ¥57
J211-D74Z ON Semiconductor
N-Channel J-FET J211-D74Z
■仕様 パッケージ:TO-92 トランジスタ極性:N-Channel ドレイン・ゲート間電圧(VDG):25V ゲート・ソース間電圧(VGS):-25V 順方向ゲート電流(IGF):10mA ...
【数量1個〜】単価 ¥63
【数量100個〜】単価 ¥57
SCH2080KE ROHM (ローム)
N-channel SiC MOSFET SCH2080KE
【ダイオードあり版】 SiC(シリコンカーバイド)によるプレーナタイプMOSFETです。 高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングで、機器の小型・省エネ化に貢献します。 【特性】 VDS [...
【数量1個〜】単価 ¥7797
STF11NM50N ST Micro
MOSFET STF11NM50N
■仕様 パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:500V Id:8.5A Rds On:470 mOhms Vgs:-25...
【数量1個〜】単価 ¥263
STF7N60M2 ST Micro
MOSFET STF7N60M2
■仕様 パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1 Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:600V Id - 連続ドレイン...
【数量1個〜】単価 ¥263
STP10NK80Z ST Micro
MOSFET STP10NK80Z
■仕様 パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:800V Id:9A Rds On:900mOhms Vgs:-30V,+3...
【数量1個〜】単価 ¥420
STP13NK60Z ST Micro
MOSFET STP13NK60Z
■仕様 パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:600V Id:13A Rds On:550 mOhms Vg...
【数量1個〜】単価 ¥368
STP14NK50Z ST Micro
MOSFET STP14NK50Z
■仕様 パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:500V Id:14A Rds On:380 mOhms Vgs:-30V,...
【数量1個〜】単価 ¥399
STP20NF20 ST Micro
MOSFET STP20NF20
■仕様 パッケージ:TO-220-3 パッケージ/ケース:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電...
【数量1個〜】単価 ¥315
STP30NF10 ST Micro
MOSFET STP30NF10
■仕様 パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:100V Id:35A Rds On:38 mOhms Vgs...
【数量1個〜】単価 ¥189
STP6N60M2 ST Micro
MOSFET STP6N60M2
■仕様 パッケージ/ケース:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:600V Id:4.5A Rds On:1.06 Ohms...
【数量1個〜】単価 ¥315
STP6NK90Z ST Micro
MOSFET STP6NK90Z
■仕様 パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:900V Id :5.8A Rds On:2 Ohms Vgs:-30V,+...
【数量1個〜】単価 ¥495
STP7NK40Z ST Micro
MOSFET STP7NK40Z
■仕様 パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:400V Id:5.4A Rds On:1 Ohms Vgs:-30V,+3...
【数量1個〜】単価 ¥210
STP7NK80Z ST Micro
MOSFET STP7NK80Z
■仕様 パッケージ:TO-220-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1 Channel Vds:800 V Id:5.2 A Rds:1.8 Ohms Vgs :-30V...
【数量1個〜】単価 ¥399
STU3N62K3 ST Micro
MOSFET STU3N62K3
■仕様 パッケージ:TO-251-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:620V Id:2.7 A Rds On:2.5 Ohms V...
【数量1個〜】単価 ¥189
STW10NK60Z ST Micro
MOSFET STW10NK60Z
■仕様 パッケージ:TO-247-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:600V Id:10A Rds On:750mOhms Vgs:-30V,+3...
【数量1個〜】単価 ¥473
STW11NK90Z ST Micro
MOSFET STW11NK90Z
■仕様 パッケージ/ケース:TO-247-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:900V Id:9.2A Rds On:980 mOhms...
【数量1個〜】単価 ¥473
STW8NK80Z ST Micro
MOSFET STW8NK80Z
■仕様 パッケージ/ケース:TO-247-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1Channel Vds:800V Id:6.2A Rds On:1.5 Ohms ...
【数量1個〜】単価 ¥735
TJ11A10M3 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET(P-ch 1素子) TJ11A10M3
○ドレイン電流ID:-11A ○許容損失PD:24W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:-100V ○入力容量 (Typ.)Ciss:3200pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:69nC ...
【数量1個〜】単価 ¥116
【数量100個〜】単価 ¥104
TK100E08N1 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET TK100E08N1
■仕様 ドレイン・ソース間電圧:80V ゲート・ソース間電圧:±20V ドレイン電流 (DC):214A(シリコン制限)(注1,2) ドレイン電流 (DC):100A(注1,3) ドレイン電流 ...
【数量1個〜】単価 ¥315
TK12A45D 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET TK12A45D
■仕様 ドレイン・ソース間電圧:450V ゲート・ソース間電圧:±30V ドレイン電流 (DC):12A(注1) ドレイン電流 (パルス):48A(注1) 許容損失:45W(Tc = 25℃) ...
【数量1個〜】単価 ¥147
東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 250V<VDSS≤500V) TK12A50D
【2SK2842の代替品】 【絶対最大定格】 ドレイン電流ID:12A 許容損失PD:45W ドレイン・ソース間電圧VDSS:500V 【電気的特性】 入力容量 (Typ.)Ciss:13...
【数量1個〜】単価 ¥231
【数量100個〜】単価 ¥208
TK13A25D 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET(N-ch 150V<VDSS≤250V) TK13A25D
○ドレイン電流ID:13A ○許容損失PD:35W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:250V ○入力容量 (Typ.)Ciss:1100pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:25nC ○ド...
【数量1個〜】単価 ¥147
【数量100個〜】単価 ¥133
TK13E25D 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET TK13E25D
■仕様 ドレイン・ソース間電圧:250V ゲート・ソース間電圧:±20V ドレイン電流 (DC):13A(注1) ドレイン電流 (パルス):52A(注1) 許容損失:102W(Tc = 25℃)...
【数量1個〜】単価 ¥210
TK16J60W5 東芝(TOSHIBA)
MOSFET TK16J60W5
MOSFET TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS ■用途 スイッチングレギュレータ用 ■特長 (1) 逆回復時間が早い: trr = 100 n...
【数量1個〜】単価 ¥473
東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET TK1K2A60F
極性:Nch ドレイン-ソース間電圧VDSS:600V ドレイン電流ID:6A 許容損失PD:35W ゲート入力電荷量Qg(nC)(typ.):21 ドレイン-ソース間オン抵抗RDS...
【数量1個〜】単価 ¥147
【数量100個〜】単価 ¥132
TK20A25D 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 150V<VDSS≤250V) TK20A25D
【2SK2382の後継品】 極性:N-ch 【絶対最大定格】 ドレイン電流ID:20A 許容損失PD:45W ドレイン・ソース間電圧VDSS:250V 【電気的特性】 入力容量 ...
【数量1個〜】単価 ¥231
【数量100個〜】単価 ¥208
TK22A10N1 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V) TK22A10N1
ドレイン電流ID:52A 許容損失PD:30W ドレイン・ソース間電圧VDSS:100V 入力容量 (Typ.)Ciss:1800pF ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:28nC ドレイン・ソー...
【数量1個〜】単価 ¥126
【数量100個〜】単価 ¥114
TK30A06N1 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V<VDSS≤60V) TK30A06N1
【2SK2312の代替品】 ドレイン電流ID:43A 許容損失PD:25W ドレイン・ソース間電圧VDSS:60V ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:16nC ドレイン・ソース間オン抵抗 (...
【数量1個〜】単価 ¥105
【数量100個〜】単価 ¥95
TK30J25D 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET TK30J25D
■仕様 ドレイン・ソース間電圧:250V ゲート・ソース間電圧:±20V ドレイン電流 (DC):30A(注1) ドレイン電流 (パルス):120A(注1) 許容損失:260W(Tc = 25℃...
【数量1個〜】単価 ¥320
TK34E10N1 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET TK34E10N1
■仕様 ドレイン・ソース間電圧:100V ゲート・ソース間電圧:±20V ドレイン電流(DC):75A(Tc = 25℃) ドレイン電流(DC):34A(: Rth(ch-a) = 3.57℃/W...
【数量1個〜】単価 ¥137
TK3A60DA 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) TK3A60DA
○ドレイン電流ID:2.5A ○許容損失PD:30W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:600V ○入力容量 (Typ.)Ciss:380pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:9nC ○ドレ...
【数量1個〜】単価 ¥74
【数量100個〜】単価 ¥67
TK40A06N1 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET TK40A06N1
■仕様 ドレイン・ソース間電圧:60V ゲート・ソース間電圧:±20V ドレイン電流 (DC):60A(シリコン制限)(注1,注2) ドレイン電流 (DC):40A(Tc = 25℃)(注1) ...
【数量1個〜】単価 ¥84
TK4A60DA 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) TK4A60DA
2SK2750の代替品 極性:Nch ドレイン-ソース間電圧VDSS:600V ドレイン電流ID:3.5A 許容損失PD:35W ゲート入力電荷量Qg(nC)(typ.):1...
【数量1個〜】単価 ¥153
【数量100個〜】単価 ¥138
TK58A06N1 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET TK58A06N1
■仕様 ドレイン・ソース間電圧:60V ゲート・ソース間電圧:±20V ドレイン電流 (DC):105A(シリコン制限)(注1,2) ドレイン電流 (DC):58A(Tc = 25℃)(注1) ...
【数量1個〜】単価 ¥210
TK5A50D 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) TK5A50D
○ドレイン電流ID:5A ○許容損失PD:35W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:500V ○入力容量 (Typ.)Ciss:490pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:11nC ○ドレイ...
【数量1個〜】単価 ¥105
【数量100個〜】単価 ¥95
TK62J60W 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET TK62J60W
■仕様 ドレイン・ソース間電圧:600V ゲート・ソース間電圧:±30V ドレイン電流 (DC):61.8A(注1) ドレイン電流 (パルス):247A(注1) 許容損失:400W(Tc = 2...
【数量1個〜】単価 ¥1470
TK65A10N1 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET TK65A10N1
■仕様 ドレイン・ソース間電圧:100V ゲート・ソース間電圧:±20V ドレイン電流 (DC):148A(シリコン制限)(注1,2) ドレイン電流 (DC):65A(注1) ドレイン電流 (パ...
【数量1個〜】単価 ¥210
TK7A45DA 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 250V<VDSS≤500V) TK7A45DA
○ドレイン電流ID:6.5A ○許容損失PD:35W ○ドレイン・ソース間電圧VDSS:450V ○入力容量 (Typ.)Ciss:540pF ○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:11nC ○ド...
【数量1個〜】単価 ¥111
【数量100個〜】単価 ¥100
TK8A25DA 東芝(TOSHIBA)
パワーMOSFET (N-ch 150V<VDSS≤250V) TK8A25DA
【2SK2381,2SK2417の代替品】 【絶対最大定格】 ドレイン電流ID:7.5A 許容損失PD:30W ドレイン・ソース間電圧VDSS:250V 【電気的特性】 入力容...
【数量1個〜】単価 ¥116
【数量100個〜】単価 ¥104
41件~80件(全83件)
1 | 2 | 3



データベースシステム開発