商品一覧
カテゴリー: FET
| 商品画像 | メーカー名▼ 商品名▼ / 型番▼ / 通販価格(税込) |
詳細 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 500V＜VDSS≤700V) TK5A50D
○ドレイン電流ID:5A
○許容損失PD:35W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:500V
○入力容量 (Typ.)Ciss:490pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:11nC
○ドレイ...
【数量1個〜】単価 ¥105
【数量100個〜】単価 ¥95 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(N-ch 150V＜VDSS≤250V) TK13A25D
○ドレイン電流ID:13A
○許容損失PD:35W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:250V
○入力容量 (Typ.)Ciss:1100pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:25nC
○ド...
【数量1個〜】単価 ¥147
【数量100個〜】単価 ¥133 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 700V＜VDSS) 2SK3566
【絶対最大定格】
ドレイン電流ID:2.5A
許容損失PD:40W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V
【電気的特性】
入力容量 (Typ.)Ciss:470pF
ゲート入力電荷 (...
【数量1個〜】単価 ¥116
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(N-ch 700V＜VDSS) 2SK3700
○ドレイン電流ID:5A
○許容損失PD:150W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V
○入力容量 (Typ.)Ciss:1150pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:28nC
○ド...
【数量1個〜】単価 ¥252
【数量100個〜】単価 ¥227 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(N-ch 700V＜VDSS) 2SK3799
○ドレイン電流ID:8A
○許容損失PD:50W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V
○入力容量 (Typ.)Ciss:2200pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:60nC
○ドレ...
【数量1個〜】単価 ¥252
【数量100個〜】単価 ¥227 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V＜VDSS≤60V) TK30A06N1
【2SK2312の代替品】
ドレイン電流ID:43A
許容損失PD:25W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:60V
ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:16nC
ドレイン・ソース間オン抵抗 (...
【数量1個〜】単価 ¥105
【数量100個〜】単価 ¥95 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 250V＜VDSS≤500V) TK7A45DA
○ドレイン電流ID:6.5A
○許容損失PD:35W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:450V
○入力容量 (Typ.)Ciss:540pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:11nC
○ド...
【数量1個〜】単価 ¥111
【数量100個〜】単価 ¥100 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 500V＜VDSS≤700V) TK3A60DA
○ドレイン電流ID:2.5A
○許容損失PD:30W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:600V
○入力容量 (Typ.)Ciss:380pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:9nC
○ドレ...
【数量1個〜】単価 ¥74
【数量100個〜】単価 ¥67 |
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International Rectifier MOSFET IRLU3410PBF
■特長
低RDS(on)
動的dv/dt定格
高速スイッチング
動作温度: 175 °C
ロジックレベル
■仕様
チャンネルタイプ:N
最大連続ドレイン電流:17 A
最大ドレイン-...
【数量1個〜】単価 ¥210
【数量100個〜】単価 ¥189 |
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Infineon Technologies MOSFET IRLB3034PBF
■仕様
パッケージ/ケース:TO-220-3
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:40 V
Id - 連続ドレイン...
【数量1個〜】単価 ¥263
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欠品中 |
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東芝(TOSHIBA) MOSFET TK16J60W5
MOSFET TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
■用途
スイッチングレギュレータ用
■特長
(1) 逆回復時間が早い: trr = 100 n...
【数量1個〜】単価 ¥473
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ST Micro MOSFET STP7NK80Z
■仕様
パッケージ:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1 Channel
Vds:800 V
Id:5.2 A
Rds:1.8 Ohms
Vgs :-30V...
【数量1個〜】単価 ¥399
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ST Micro MOSFET STW10NK60Z
■仕様
パッケージ:TO-247-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:600V
Id:10A
Rds On:750mOhms
Vgs:-30V,+3...
【数量1個〜】単価 ¥473
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ST Micro MOSFET STP10NK80Z
■仕様
パッケージ:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:800V
Id:9A
Rds On:900mOhms
Vgs:-30V,+3...
【数量1個〜】単価 ¥420
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ST Micro MOSFET STW8NK80Z
■仕様
パッケージ/ケース:TO-247-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:800V
Id:6.2A
Rds On:1.5 Ohms ...
【数量1個〜】単価 ¥735
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ST Micro MOSFET STW11NK90Z
■仕様
パッケージ/ケース:TO-247-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:900V
Id:9.2A
Rds On:980 mOhms...
【数量1個〜】単価 ¥473
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ST Micro MOSFET STP6N60M2
■仕様
パッケージ/ケース:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:600V
Id:4.5A
Rds On:1.06 Ohms...
【数量1個〜】単価 ¥315
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ST Micro MOSFET STP14NK50Z
■仕様
パッケージ:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:500V
Id:14A
Rds On:380 mOhms
Vgs:-30V,...
【数量1個〜】単価 ¥399
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ST Micro MOSFET STF11NM50N
■仕様
パッケージ:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:500V
Id:8.5A
Rds On:470 mOhms
Vgs:-25...
【数量1個〜】単価 ¥263
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ST Micro MOSFET STP7NK40Z
■仕様
パッケージ:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:400V
Id:5.4A
Rds On:1 Ohms
Vgs:-30V,+3...
【数量1個〜】単価 ¥210
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ST Micro MOSFET STP6NK90Z
■仕様
パッケージ:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:900V
Id :5.8A
Rds On:2 Ohms
Vgs:-30V,+...
【数量1個〜】単価 ¥495
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ST Micro MOSFET STU3N62K3
■仕様
パッケージ:TO-251-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:620V
Id:2.7 A
Rds On:2.5 Ohms
V...
【数量1個〜】単価 ¥189
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ST Micro MOSFET STP13NK60Z
■仕様
パッケージ:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:600V
Id:13A
Rds On:550 mOhms
Vg...
【数量1個〜】単価 ¥368
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ST Micro MOSFET STP30NF10
■仕様
パッケージ:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:100V
Id:35A
Rds On:38 mOhms
Vgs...
【数量1個〜】単価 ¥189
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ST Micro MOSFET STF7N60M2
■仕様
パッケージ:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:600V
Id - 連続ドレイン...
【数量1個〜】単価 ¥263
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ST Micro MOSFET STP20NF20
■仕様
パッケージ:TO-220-3
パッケージ/ケース:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電...
【数量1個〜】単価 ¥315
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK1K2A60F
極性:Nch
ドレイン-ソース間電圧VDSS:600V
ドレイン電流ID:6A
許容損失PD:35W
ゲート入力電荷量Qg(nC)(typ.):21
ドレイン-ソース間オン抵抗RDS...
【数量1個〜】単価 ¥147
【数量100個〜】単価 ¥132 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK34E10N1
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:100V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流(DC):75A(Tc = 25℃)
ドレイン電流(DC):34A(: Rth(ch-a) = 3.57℃/W...
【数量1個〜】単価 ¥137
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK100E08N1
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:80V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):214A(シリコン制限)(注1,2)
ドレイン電流 (DC):100A(注1,3)
ドレイン電流 ...
【数量1個〜】単価 ¥315
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK65A10N1
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:100V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):148A(シリコン制限)(注1,2)
ドレイン電流 (DC):65A(注1)
ドレイン電流 (パ...
【数量1個〜】単価 ¥210
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK58A06N1
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:60V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):105A(シリコン制限)(注1,2)
ドレイン電流 (DC):58A(Tc = 25℃)(注1)
...
【数量1個〜】単価 ¥210
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK30J25D
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:250V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):30A(注1)
ドレイン電流 (パルス):120A(注1)
許容損失:260W(Tc = 25℃...
【数量1個〜】単価 ¥320
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK13E25D
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:250V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):13A(注1)
ドレイン電流 (パルス):52A(注1)
許容損失:102W(Tc = 25℃)...
【数量1個〜】単価 ¥210
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK62J60W
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:600V
ゲート・ソース間電圧:±30V
ドレイン電流 (DC):61.8A(注1)
ドレイン電流 (パルス):247A(注1)
許容損失:400W(Tc = 2...
【数量1個〜】単価 ¥1470
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK40A06N1
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:60V
ゲート・ソース間電圧:±20V
ドレイン電流 (DC):60A(シリコン制限)(注1,注2)
ドレイン電流 (DC):40A(Tc = 25℃)(注1)
...
【数量1個〜】単価 ¥84
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET TK12A45D
■仕様
ドレイン・ソース間電圧:450V
ゲート・ソース間電圧:±30V
ドレイン電流 (DC):12A(注1)
ドレイン電流 (パルス):48A(注1)
許容損失:45W(Tc = 25℃)
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【数量1個〜】単価 ¥147
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ON Semiconductor N-Channel J-FET J211-D74Z
■仕様
パッケージ:TO-92
トランジスタ極性:N-Channel
ドレイン・ゲート間電圧(VDG):25V
ゲート・ソース間電圧(VGS):-25V
順方向ゲート電流(IGF):10mA
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【数量1個〜】単価 ¥63
【数量100個〜】単価 ¥57 |
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J-FET Nチャネル接合形 2SK2880-T112-D
■仕様
・ゲート・ドレイン間電圧VGDO:VGDO-50V
・ゲート電流IG:10mA
・ドレイン電流IDSS:0.3mA(最小)～12mA(最大)
・全許容損失(Ta=25℃)PT:450mW
...
【数量1個〜】単価 ¥63
【数量1組〜】100個入1組 ¥5670 |
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J-FET Nチャネル接合形 2SK2881-T112-D
■仕様
・ゲート・ドレイン間電圧VGDO:VGDO-50V
・ゲート電流IG:10mA
・ドレイン電流IDSS:1mA(最小)～12mA(最大)
・全許容損失(Ta=25℃)PT:450mW
・...
【数量1個〜】単価 ¥63
【数量1組〜】100個入1組 ¥5670 |
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MOSFET Nチャネル INKA114AS1-T112
■仕様
・ゲート・ソース間電圧VGSS:±20V
・ドレイン電流(DC)ID:0.5A
・IDP:ドレイン電流(パルス) 1A
・全許容損失:800mW
・ドレイン・ソース間オン抵抗:1.1Ω～...
【数量1個〜】単価 ¥63
【数量1組〜】100個入1組 ¥5670 |
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